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CCD和CMOS主要技術分析

  • CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術,它們產生于不同的制造工藝背景,就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術,便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外,還可看到,C
  • 關鍵字: 分析  技術  主要  CMOS  CCD  

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案,使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路,在此基礎上設計輸入輸出匹配網絡
  • 關鍵字: CMOS  共源共柵  功率放大器  方案    

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

  • 摘要:傳統基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結具有負溫度系數的正向電壓和具有正溫度系數的VBE電壓得出具有零溫度系數的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
  • 關鍵字: CMOS  VTH  電壓基準    

全CMOS基準電壓源的分析與仿真

  • 摘要:文章基于CMOS 0.18mu;m工藝,在Hspice下,對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真,文中給出了每種電路仿真時的電路參數和仿真結果。
    關鍵詞:基準電壓;CMOS集成電路;Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關鍵字: 仿真  分析  電壓  基準  CMOS  

艾克賽利將介紹業(yè)內最新BSIM-IMG模型的應用

  •   艾克賽利(Accelicon),器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者,宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference),并在會上介紹業(yè)內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
  • 關鍵字: 艾克賽利  CMOS  

2.4GHz 0.35-μm CMOS全集成線性功率放大器設計

  • 摘要:片上系統射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-mu;mCMOS工藝設計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
  • 關鍵字: 4GHz  CMOS  35  集成    

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會根據一個脈沖,切換一個DPDT(雙刀雙擲)鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器,一個差分脈沖轉換器,一個繼電器驅動器,以及一個繼電器線圈?! ∷矂娱_關提供驅動電路的步進電壓信
  • 關鍵字: 研究  電路  CMOS  繼電器  

用非傳統MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間,使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終,通過構成一個由多層系統-電路-器件電源管理生態(tài)系統構成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。

  • 關鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統  

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設計

  • 摘要:設計了一種基于0.25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網絡在LDO輸出端引入零點,補償誤差放大器輸出極點的方法,避免了為補償LDO輸出極點,而需要大電容或復雜補償
  • 關鍵字: 穩(wěn)壓器  設計  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS/s CMOS流水線A/D轉換器

  • 摘要:采用TSMC 0.18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS/s流水線A/D轉換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗,該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內建的采樣保持功能,去掉了傳統的前端采樣保持電路,采用時間常數匹配
  • 關鍵字: 流水線  轉換器  CMOS  MS  12位  一種  

基于SOI和體硅的FinFET對比研究

  • 隨著半導體產業(yè)向22納米技術節(jié)點外觀的發(fā)展,一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維(3D)FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管,FinFET元件提供更好的渠道控制,因此,降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上,FinFET的柵極環(huán)繞溝道,從雙向提供靜電控制。
  • 關鍵字: SOI  體硅  FinFET  

思比科微電子籌備上市:已完成股份制改造

  •   7月10日,北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,現已進入創(chuàng)業(yè)板輔導流程。
  • 關鍵字: 思比科  CMOS  

APTINA榮獲成像技術創(chuàng)新大獎

  • CMOS成像技術的領先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術創(chuàng)新銅獎。
  • 關鍵字: Aptina  CMOS  

Silicon Labs廣播收音機IC出貨量突破十億顆

  •   高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆,締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產品。   Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片FM接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC,Si4700 IC重構了消
  • 關鍵字: Silicon-Labs  IC  CMOS  

CMOS Sensor的調試經驗

  • 目前,包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭,而且還在以很快的速度更新換代。目前使用的攝像頭分為兩種:CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
  • 關鍵字: Sensor  CMOS  調試  經驗    
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