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CMOS成像技術讓照相功能大顯身手

  • 互補型金屬氧化物半導體(CMOS)成像技術已經成為眾多新興攝像頭應用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
  • 關鍵字: CMOS  成像技術  照相功能  

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應用

  • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復雜,但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
  • 關鍵字: CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應用    

CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關知識解析方案

  • 1、引言小型會議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實現(xiàn)同頻終端的話音通信。經對可靠性、經
  • 關鍵字: 知識  解析  方案  相關  各種  單片  集成電路  MT8816AE  CMOS  

基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護電路設計

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真,基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設計,并在一款多功能故
  • 關鍵字: ESD  保護  電路設計  芯片  數(shù)字  CMOS  多功能  基于  

一種帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

  • 摘要:設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構,利用增益提高和三支路電流基準技術實現(xiàn)一個可用于12~14bit精度,100MS/s采樣頻率的高速流
  • 關鍵字: CMOS  增益提高  運算  放大器設計    

CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電,不像由二極管組成的CCD,CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗,只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右,這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機是ld
  • 關鍵字: 傳感器  哪里  區(qū)別  CMOS  CCD  

CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用,因此大量應用的所有攝像機都是用了
  • 關鍵字: CMOS  攝像機  什么  

CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因為CMOS傳感器在10
  • 關鍵字: /SDDS  傳感器  CMOS  什么  

利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

  • 每年生產10多億部手機的手機市場已成為半導體產業(yè)中競爭最激烈的領域。一直有這種說法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向 ...
  • 關鍵字: CMOS  功率放大器  單芯片手機  

AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  •   AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產工藝將有重大變化,將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝,海島系列GPU已經進入樣品試生產階段,在2012年年底開始生批量生產,在2013年第一季度正式發(fā)布。   在評論異構系統(tǒng)架構(HSA)聯(lián)盟,是否用來應對英特爾和NVIDI
  • 關鍵字: ARM  CMOS  

CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要:由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電,以保護CMOS
  • 關鍵字: 研究  措施  抗靜電  器件  CMOS  

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設計

  • 摘要:為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅動能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
  • 關鍵字: 輸出  緩沖  電路設計  芯片  數(shù)字  工藝  多功能  CMOS  

一種新型高速CMOS全差分運算放大器設計

  • 摘要:設計了一種基于流水線模/數(shù)轉換系統(tǒng)應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩(wěn)定性。設計基于SMIC 0.25mu;m CM
  • 關鍵字: CMOS  全差分  放大器設計  運算    

聯(lián)電與星國微電子開發(fā)TSV技術

  •   聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發(fā),透過這項技術,包括智慧手機、數(shù)位相機與個人平板電腦等行動電子產品,里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測器,都可大幅提升產品效能、降低成本、體積減少。   聯(lián)電指出,市場上對于持續(xù)縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動CMOS影像感測技術興起,而背面照度式技術則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。   聯(lián)電指出,這次專案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
  • 關鍵字: 聯(lián)華  CMOS  微電子  

IMEC探討10nm以下制程變異

  •   在可預見的未來,CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步,然而,當我們邁入10nm節(jié)點后,控制制程復雜性和變異,將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵,IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量,這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。   在演講中,Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后,或許還
  • 關鍵字: IMEC  CMOS  10nm    
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