cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

　　比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。　　隨著晶片微縮即將接近原子級(jí)的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過(guò)為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動(dòng)電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。　
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雙通道/四通道CMOS 運(yùn)算放大器LTC6084/LTC60

描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調(diào)、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運(yùn) ...
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MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運(yùn)算放大器

MAX44265運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流，如手機(jī)，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供 ...
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Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開(kāi)關(guān)

2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
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美國(guó)半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動(dòng)“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”

　　新計(jì)劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項(xiàng)目：第1個(gè)領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門(mén)支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個(gè)領(lǐng)域是分子級(jí)精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級(jí)尺度上開(kāi)發(fā)制造工藝。該研究計(jì)劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來(lái)多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計(jì)劃將為第1階段研究投資225萬(wàn)美元。- 　　麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 CMOS

改進(jìn)RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設(shè)計(jì)

該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測(cè)器結(jié)電容 ...
關(guān)鍵字： RGC CMOS 前置放大器

帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
關(guān)鍵字：增益高速 CMOS 運(yùn)算放大器

CMOS型單片機(jī)時(shí)鐘電路圖

MCS-51內(nèi)部都有一個(gè)反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時(shí)反饋元件以后就組成振蕩器 ...
關(guān)鍵字： CMOS 單片機(jī) 時(shí)鐘電路

新日本無(wú)線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

新日本無(wú)線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：新日本 CMOS 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)

技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

　　目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。　　1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
關(guān)鍵字： CMOS 電阻

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： CMOS LCVCO 電感射頻開(kāi)關(guān) PVT 鎖相環(huán)

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復(fù)用器/開(kāi)關(guān)

概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復(fù)用器（MAX4617），兩個(gè)4通道多路 ...
關(guān)鍵字： MAX4617 MAX4619 CMOS 多路復(fù)用器

Mentor工具被納入臺(tái)積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺(tái)積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺(tái)積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設(shè)計(jì)，以及Calibre?物理驗(yàn)證和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺(tái)。
關(guān)鍵字： Mentor FinFET

上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機(jī)銷售禁令紅外LED廠受惠

　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時(shí)間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來(lái)：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個(gè)漲停板，且漲勢(shì)有向縱深方向擴(kuò)散的跡象。此前，市場(chǎng)人士就已獲悉，允許國(guó)外企業(yè)在華銷售游戲機(jī)將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機(jī)概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強(qiáng)勢(shì)漲停。　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明，實(shí)行了十三年的游戲機(jī)禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預(yù)計(jì)與游戲機(jī)生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
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銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

　　銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場(chǎng)和供應(yīng)鏈。之所以這樣說(shuō)，是因?yàn)槌艘苿?dòng)產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。　　目前全球倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模為200億美元，以年增長(zhǎng)率為9%計(jì)算，到2018年將達(dá)到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點(diǎn)式封裝的年增長(zhǎng)率將達(dá)到19%。到2014年，已形成凸點(diǎn)的晶圓中將有50%使用銅柱凸點(diǎn)，從數(shù)量上來(lái)說(shuō)，銅柱凸點(diǎn)式封裝將占到倒裝芯片封裝市場(chǎng)的2/3。　　
關(guān)鍵字： CMOS 倒裝芯片