cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

FinFET改變戰(zhàn)局臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

　　晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀提到，今年臺(tái)積電雖屢創(chuàng)季營(yíng)收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫(kù)存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，臺(tái)積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對(duì)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FinFET

CMOS集成電路設(shè)計(jì)(三):接口電路詳解

二、其它器件驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路　　1.TTL-CMOS集成電路的接口　　利用集電極開路的TTL門電路可以方便靈活 ...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路接口電路

CMOS集成電路設(shè)計(jì)（二）：接口電路詳解

一、CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)其它器件　　1．CMOS-TTL集成電路的接口　　由于TTL的低電平輸入電流1.6mA，而CMOS的低 ...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路接口電路

“韓流”席卷全球LED等數(shù)字產(chǎn)品市場(chǎng)

　　據(jù)2012年全球“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示，在調(diào)查所涵蓋的50個(gè)品類中，韓國(guó)三星電子集團(tuán)在7個(gè)品類上占據(jù)全球份額榜首。包括LG電子等在內(nèi)，韓國(guó)企業(yè)在數(shù)字產(chǎn)品市場(chǎng)方面擴(kuò)大了優(yōu)勢(shì)。另一方面，日本企業(yè)則在數(shù)字產(chǎn)品零部件和相機(jī)領(lǐng)域保持領(lǐng)先。在日元趨于貶值的2013年，日本企業(yè)的卷土重來(lái)值得期待。　　三星位居全球份額榜首的是，手機(jī)終端、智能手機(jī)、有機(jī)EL面板、平板電視、鋰離子電池、用于個(gè)人電腦等的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM以及NAND型閃存等7大品類。而在液晶面板、平板電腦、白色發(fā)光二
關(guān)鍵字： LED CMOS

Diodes為強(qiáng)化CMOS邏輯系列新增移位寄存器及譯碼器

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為旗下強(qiáng)化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體) 邏輯系列，新增標(biāo)準(zhǔn)的移位寄存器及譯碼器邏輯集成電路。
關(guān)鍵字： Diodes 寄存器 CMOS

聯(lián)華與新思攜手加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)

聯(lián)華電子與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫(kù)的IP組合及 Galaxy?實(shí)作平臺(tái)的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯(lián)華電子第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。
關(guān)鍵字：聯(lián)華新思 FinFET

富士/松下聯(lián)手打造有機(jī)CMOS傳感器

　　有機(jī)材質(zhì)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用了多年(比如AMOLED)，相比傳統(tǒng)的非有機(jī)材質(zhì)，它的色彩表現(xiàn)更加鮮艷，并且具有廣視角、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì)。本周富士、松下聯(lián)合宣布了他們共同打造的有機(jī)CMOS傳感器，將有機(jī)材料首次應(yīng)用到CMOS傳感器上。　　傳統(tǒng)影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結(jié)構(gòu)組成，而富士、松下聯(lián)合研發(fā)的這種有機(jī)CMOS傳感器使用高吸收率的有機(jī)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅光電二極管，感光層厚度減小至0.5微米。　　據(jù)了解，這種新型有機(jī)CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進(jìn)，比如動(dòng)態(tài)范
關(guān)鍵字： CMOS 傳感器

安森美半導(dǎo)體醫(yī)療半導(dǎo)體解決方案配合醫(yī)療市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

隨著人們生活水平的提高和人口老齡化的發(fā)展，對(duì)醫(yī)療器械的創(chuàng)新發(fā)展也提出了更高要求，而半導(dǎo)體技術(shù)在醫(yī)療設(shè)備創(chuàng)新方面發(fā)揮著重要作用。安森美半導(dǎo)體身為推動(dòng)高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體廠商，其多款醫(yī)療半導(dǎo)體產(chǎn)品居于領(lǐng)先地位，例如用于助聽器的數(shù)字信號(hào)處理(DSP) SoC的市場(chǎng)份額高居全球第一。
關(guān)鍵字：安森美 DSP CMOS

聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程

　　晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。　　擁有IBM的支援與know-how，聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù)，針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品，提供富競(jìng)爭(zhēng)力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù)，以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國(guó)紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
關(guān)鍵字：聯(lián)電 CMOS

東芝開發(fā)出應(yīng)用于小型低功率產(chǎn)品的CMOS圖像傳感器

東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對(duì)于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發(fā)進(jìn)展。內(nèi)置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統(tǒng)傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國(guó)電氣和電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)主辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì))會(huì)議上對(duì)該產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)展進(jìn)行了介紹。
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 傳感器

TTL電平和CMOS電平總結(jié)

TTL電平：輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下，一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
關(guān)鍵字： CMOS 電平電路

CMOS集成電路設(shè)計(jì)（三）：CMOS設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

（1）使用TTL集成電路注意事項(xiàng)　?、賂TL集成電路的電源電壓不能高于＋5.5V使用，不能將電源與地顛倒錯(cuò)接，否則將會(huì)因 ...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。
關(guān)鍵字：聯(lián)華 IBM FinFET

CMOS與MEMS方案走紅　移動(dòng)裝置RF架構(gòu)改弦更張

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： CMOS MEMS RF前端雙工器

里昂喊買臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價(jià)上看140元

　　里昂證券出具報(bào)告表示，看好臺(tái)積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張，但2015年將會(huì)衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報(bào)率，給予買進(jìn)，并將目標(biāo)價(jià)從126元上調(diào)140元。　　FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2015年前，積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造　　里昂證券也指
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FinFET