cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

芯科實(shí)驗(yàn)室推出高性能單芯片混合電視調(diào)諧器

　　近日， Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)發(fā)布一款完整的、全球兼容的混合電視調(diào)諧器(hybrid TV tuner)，該Si2170組件在CMOS單芯片上集成了模擬電視解調(diào)器。利用Silicon Labs備受肯定的數(shù)字低中頻架構(gòu)，Si2170成為業(yè)界首個(gè)性能超越傳統(tǒng)分立式電視調(diào)諧器的硅電視調(diào)諧器(Silicon TV tuner)，不僅能為電視生產(chǎn)廠商提供更佳的畫質(zhì)，更帶來(lái)卓越的模擬和數(shù)字廣播接收能力。超高集成度可減少100多個(gè)分立器件的使用，針對(duì)數(shù)字電視(iDTV)、機(jī)
關(guān)鍵字： Silicon CMOS 電視調(diào)諧器

飛思卡爾傳感器裝運(yùn)量突破10億

　　新聞事件：　　飛思卡爾半導(dǎo)體傳感器裝運(yùn)量突破10億只　　行業(yè)影響：　　飛思卡爾在業(yè)內(nèi)商用汽車傳感器供應(yīng)商中排名第一　　代表了飛思卡爾與客戶的一個(gè)重要里程碑　　飛思卡爾半導(dǎo)體提供的傳感器技術(shù)創(chuàng)新，幫助全球客戶過(guò)去三十年在汽車、消費(fèi)、工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，最近其傳感器裝運(yùn)量突破10億只，取得重要里程碑。　　飛思卡爾提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣的傳感器產(chǎn)品系列，在成熟的傳感器市場(chǎng)中擁有強(qiáng)勁的發(fā)展趨勢(shì)，該市場(chǎng)涵
關(guān)鍵字：飛思卡爾傳感器 CMOS

展現(xiàn)深耕決心中芯提升MEMS為獨(dú)立部門

　　繼臺(tái)積電上周于技術(shù)論壇中廣發(fā)MEMS英雄帖后，中芯MEMS部門升格為獨(dú)立部門，以展現(xiàn)深耕MEMS市場(chǎng)決心。中芯表示，踏入此市場(chǎng)僅約1年，但預(yù)計(jì)2009年底前，已有3項(xiàng)商品已可進(jìn)入大量投產(chǎn)，而市場(chǎng)上每項(xiàng)MEMS產(chǎn)品，中芯至少都有1個(gè)客戶，因此對(duì)中芯來(lái)說(shuō)，MEMS成長(zhǎng)潛力值得期待。　　臺(tái)積電于上周舉辦技術(shù)論壇中對(duì)于MEMS市場(chǎng)相當(dāng)看好，指出進(jìn)入MEMS市場(chǎng)到現(xiàn)在為止已有7年，當(dāng)中已累計(jì)出多項(xiàng)制程及IP技術(shù)，除此之外，臺(tái)積電更已可提供標(biāo)準(zhǔn)制程(StandardProcess)，讓MEMS客戶可安心至臺(tái)積
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 MEMS IP CMOS SoC

MEMS市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)多

　　按Yole Developpement報(bào)道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過(guò)的停滯,2008年的銷售額下降2%,達(dá)68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L(zhǎng)率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場(chǎng)隨著全球經(jīng)濟(jì)下滑時(shí),許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實(shí)的增長(zhǎng)。　　MEMS在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,如加速度計(jì),陀螺儀的市場(chǎng)繼續(xù)看好,推動(dòng)供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長(zhǎng)。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴(kuò)大,其市場(chǎng)繼續(xù)增大。今年新
關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 CMOS 芯片堆疊封裝 TSV 納米印刷

臺(tái)積電MEMS苦練7年　2010年進(jìn)入收成期

　　臺(tái)積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo)，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長(zhǎng)劉信生自信表示，臺(tái)積電MEMS將迎頭趕上國(guó)際IDM廠商腳步，相信2010年臺(tái)積電MEMS將進(jìn)入收成期。　　劉信生在出席臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)時(shí)指出，臺(tái)積電在MEMS上布局已有7年左右，經(jīng)過(guò)幾年努力，相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺(tái)積電現(xiàn)已能提供多種標(biāo)準(zhǔn)制程模塊(Process Module)供客戶使用，包含蝕刻模塊、掏空模塊等，MEMS客戶至臺(tái)積電投產(chǎn)，僅需針對(duì)MEMS產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì)，其余交給臺(tái)積電
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 MEMS CMOS 晶圓代工

臺(tái)積電搶進(jìn)電源IC 市場(chǎng)潛力160億美元

　　不僅擴(kuò)充先進(jìn)制程研發(fā)、產(chǎn)能，臺(tái)積電主流制程技術(shù)也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場(chǎng)，臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處長(zhǎng)劉信生表示，目前臺(tái)積電在電源管理IC約150億~160億美元市場(chǎng)市占率約個(gè)位數(shù)，絕大部分市場(chǎng)由IDM業(yè)者把持，不過(guò)未來(lái)他看好IDM業(yè)者產(chǎn)能不足情況下轉(zhuǎn)單到晶圓代工的可能性，同時(shí)也將全力扶持臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)客戶搶進(jìn)此一市場(chǎng)。　　劉信生表示，在電源管理市場(chǎng)規(guī)模約150億~160億美元中，幾近8~9成是由IDM業(yè)者所把持，目前臺(tái)積電不論在設(shè)計(jì)環(huán)境與制程平臺(tái)上都已做足準(zhǔn)備，積極搶攻此市場(chǎng)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電電源管理IC IDM CMOS

一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)

采用恒流源充放電技術(shù)，以比較器為核心，利用一種新型真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機(jī)控制信號(hào)，設(shè)計(jì)一種基于0.5μm CMOS工藝的擴(kuò)展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過(guò)Cadence spectre仿真工具對(duì)電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機(jī)振蕩信號(hào)。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
關(guān)鍵字： CMOS 隨機(jī)數(shù)發(fā)生器擴(kuò)展頻譜振蕩器

基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實(shí)現(xiàn)

　　在去年的Freescale全國(guó)大學(xué)生智能車大賽中，賽道信息檢測(cè)方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、信息檢測(cè)頻率高，但檢測(cè)范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設(shè)計(jì)和軟件處理較復(fù)雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點(diǎn)并實(shí)際測(cè)試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下，討論如何對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和控制策略的實(shí)現(xiàn)。　　數(shù)據(jù)采集　　我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進(jìn)行信號(hào)分離，結(jié)合AD采樣
關(guān)鍵字：飛思卡爾智能車傳感技術(shù) CMOS 攝像頭

韓國(guó)半導(dǎo)體代工廠MagnaChip已申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)

　　Thomson Reuters12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國(guó)德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達(dá)5,000萬(wàn)美元，負(fù)債則超過(guò)10億美元。　　2004年10月自Hynix獨(dú)立出來(lái)的MagnaChip總部設(shè)于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進(jìn)混合信號(hào)制程的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商，且為力旺于韓國(guó)首位取得合作的半導(dǎo)體代工策略
關(guān)鍵字： Magnachip CMOS 傳感器液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片微控制器

NEC和東芝將擴(kuò)展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議

　　NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴(kuò)展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費(fèi)者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。　　這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團(tuán)隊(duì)還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。　　東芝公司2007年12月加
關(guān)鍵字： NEC CMOS 28納米半導(dǎo)體

高性能小型化成霍爾傳感器未來(lái)發(fā)展方向

　　霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的器件，它能實(shí)現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化。　　霍爾效應(yīng)雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀(jì)50年代才出現(xiàn)了對(duì)其的應(yīng)用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進(jìn)硅芯片中，從而促進(jìn)了霍爾器件的應(yīng)用。　　經(jīng)歷三大發(fā)展階段　　霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個(gè)階段：　　第一階段是從霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)到20世紀(jì)40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應(yīng)十分微弱而沒(méi)有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場(chǎng)傳感器
關(guān)鍵字：霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器總線接口

市場(chǎng)前景看好NXP潛心相變存儲(chǔ)器技術(shù)

　　NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲(chǔ)器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。　　他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個(gè)問(wèn)題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補(bǔ)充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于可以在斷電時(shí)也能保存數(shù)據(jù)，作為當(dāng)前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應(yīng)，因此前景十分看好。預(yù)計(jì)PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。　　Penning de Vries在
關(guān)鍵字： NXP CMOS PCM 嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)

中國(guó)MEMS市場(chǎng)前景樂(lè)觀汽車電子領(lǐng)域發(fā)展最快

　　2008年，在國(guó)際金融危機(jī)的影響下，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)與通信類電子整機(jī)、計(jì)算機(jī)類電子整機(jī)、消費(fèi)類電子整機(jī)產(chǎn)量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導(dǎo)致MEMS加速度計(jì)、MEMS壓力計(jì)、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風(fēng)等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國(guó)MEMS市場(chǎng)規(guī)模達(dá)110.6億元，同比增長(zhǎng)21.9%，較2007年，市場(chǎng)增速下降接近20個(gè)百分點(diǎn)。　　MEMS市場(chǎng)前景樂(lè)觀　　2008年，中國(guó)MEMS市場(chǎng)增速大幅回落。然而，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最為前沿的產(chǎn)品領(lǐng)域之一，未來(lái)，MEMS新型顯示器、MEMS
關(guān)鍵字：汽車電子 MEMS CMOS

正電壓型電壓穩(wěn)壓器S-1137系列（SII）

　　S-1137系列是使用CMOS技術(shù)開發(fā)的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動(dòng)功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩(wěn)壓器。可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器，也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。為了使負(fù)載電流不超過(guò)輸出晶體管的電流容量，內(nèi)置了過(guò)載電流保護(hù)電路。此外，還能通過(guò)電源開/關(guān)控制電路來(lái)延長(zhǎng)電池的使用壽命。和以往采用CMOS工藝的電壓穩(wěn)壓器相比，可使用的電容器種類較多，還可以使用小型的陶瓷電容器。因能采用小型的SOT-89-5, SO
關(guān)鍵字：精工 CMOS 穩(wěn)壓器

ST攜手Soitec開發(fā)新一代CMOS圖像感測(cè)器技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作，以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測(cè)器開發(fā) 300mm 晶圓級(jí)背面照度 (BSI) 技術(shù)。　　當(dāng)今最先進(jìn)的圖像感測(cè)器的解析度正不斷提高，而特別是在消費(fèi)市場(chǎng)，總體減少相機(jī)模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發(fā)更小的單個(gè)圖元尺寸，同時(shí)保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開發(fā)新一代圖像感測(cè)器時(shí)，背面照度是一項(xiàng)能
關(guān)鍵字： ST CMOS 圖像感測(cè)器