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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos+dps

改進RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設計

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測器結(jié)電容 ...
  • 關(guān)鍵字： RGC  CMOS  前置放大器  

帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設計

  • 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
  • 關(guān)鍵字： 增益  高速  CMOS  運算放大器  

CMOS型單片機時鐘電路圖

  • MCS-51內(nèi)部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡  

技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應用分析

  • 　　目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。 　　1CMOS集成電路的性能及特點 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關(guān)鍵字： CMOS  LCVCO  電感  射頻開關(guān)  PVT  鎖相環(huán)  

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復用器/開關(guān)

  • 概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復用器（MAX4617），兩個4通道多路 ...
  • 關(guān)鍵字： MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復用器  

上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠

  • 　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強勢漲停。 　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預計與游戲機生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
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銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流

  • 　　銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。 　　目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數(shù)量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。 　　
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ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

  • 　　高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應用于先進互補式金氧半導體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 　　高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進是用來解決標準SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
  • 關(guān)鍵字： ASM  CMOS  

東芝推出移動設備用的CMOS-LDO

  • 東芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已經(jīng)擴充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專為移動 ...
  • 關(guān)鍵字： 移動設備  CMOS-LDO  

高電壓CMOS放大器利用單個IC實現(xiàn)高阻抗檢測

  • 電壓的準確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡以把負載效應保持在不顯眼的水平，即使這會引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  LTC6090  CMOS  放大器  電阻器  

臺灣第3季IC封測產(chǎn)值季增4.5％

  • 　　臺灣第3季IC封測產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)趨勢，IEK ITIS計劃預估，第3季臺灣封裝及測試業(yè)產(chǎn)值分別可達新臺幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。 　　IEK ITIS計劃指出，展望第3季，高階智慧型手機市場反應趨弱，封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫存調(diào)整時間可能拉長。 　　展望今年全年IC封裝測試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計劃指出，雖然高階
  • 關(guān)鍵字： IC封測  CMOS  

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

  • 　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進入20世紀90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學和瑞典Linkoping大學的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。 　　當前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機構(gòu)很多，其中
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  

CMOS面陣圖像傳感器之高動態(tài)光照渲染技術(shù)

  • 高動態(tài)范圍(HDR)高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色，是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴展動態(tài)范圍，它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能，可以糾正對比度高
  • 關(guān)鍵字： 渲染  技術(shù)  光照  動態(tài)  圖像  傳感器  CMOS  
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