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控制之道-外部機(jī)制為CMOS LDO器件提供限流保護(hù)

  • 功率半導(dǎo)體開發(fā)越來(lái)越趨向在器件支持的功能集中增添新的功能，從而提升電路設(shè)計(jì)靈活性。低壓降(LDO)穩(wěn)壓器的...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  LDO  限流  

用于CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

  • 摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了...
  • 關(guān)鍵字： 流水線ADC  CMOS  圖像傳感器  Labview  

基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器

  • 基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國(guó)際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn)，也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國(guó)都競(jìng)相發(fā)展，不斷應(yīng)用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）

  • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

  • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
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用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

  • 摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： ADC  設(shè)計(jì)  及其  驗(yàn)證  流水線  傳感器  噪聲  CMOS  圖像  用于  

數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹

  • 標(biāo)簽：數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后，人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)椋珻MOS影像傳感器過(guò)去有著信噪比小、分辨率
  • 關(guān)鍵字： 介紹  知識(shí)  傳感器  CMOS  數(shù)碼相機(jī)  

CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

  • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類別，都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來(lái)，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評(píng)價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些？下面來(lái)為大家詳細(xì)說(shuō)明。CCD和CMOS圖
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淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

  • 標(biāo)簽：CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
  • 關(guān)鍵字： 原理  差異  結(jié)構(gòu)  內(nèi)部  CMOS  CCD  淺析  

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

  • 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
  • 關(guān)鍵字： CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

  • O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流
  • 關(guān)鍵字： CMOS  單相  乘法器  能量回收  

CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

  • 未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
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基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 引言　　測(cè)試CMOS電路的方法有很多種，測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試，即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤，但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
  • 關(guān)鍵字： CMOS  IDDQ  電路  測(cè)試    

小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

  • XC6420系列是實(shí)現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個(gè)...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電壓  調(diào)整器IC  

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
  • 關(guān)鍵字： CMOS  5510  TLC  工藝    
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