1 引言 鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場(chǎng)很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
為數(shù)億部數(shù)碼相機(jī)提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達(dá)克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器平臺(tái)可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機(jī)。
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卓然 CMOS COACH 14
手機(jī)高級(jí)功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機(jī)用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性，AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能，包括交換機(jī)和復(fù)合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
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分析 技術(shù) 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
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仿真 分析 電壓 基準(zhǔn) CMOS
艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈。 瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
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穩(wěn)壓器 設(shè)計(jì) 線性 LDO 成型 CMOS 全集
摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
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流水線 轉(zhuǎn)換器 CMOS MS 12位 一種
7月10日，北京思比科微電子董事長(zhǎng)陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
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思比科 CMOS
CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國(guó)際成像行業(yè)協(xié)會(huì)(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎(jiǎng)。
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Aptina CMOS
cmos+dps介紹
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