cmos+dps 文章進入cmos+dps技術(shù)社區(qū)

傳感器技術(shù)面臨新型突破

　　日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于數(shù)碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫(yī)學(xué)設(shè)備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規(guī)模增長，八十年代開始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數(shù)碼相機等CCD傳統(tǒng)應(yīng)用市場。　　圖像傳感器領(lǐng)域的這一變化只是傳感器技術(shù)變化的一個縮影。傳感器技術(shù)的最大特點就是不斷引入多學(xué)科的新技術(shù)發(fā)展新功能，現(xiàn)在，隨著電子、M
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計，鋸齒波信號的線性度較好，當(dāng)負載電路減小時，自動進入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
關(guān)鍵字：控制器振蕩器電路 DC AC CMOS 綠色模式一種

解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中，一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟效益前進。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢，并認為&
關(guān)鍵字：摩爾定律 MEMS CMOS

賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

　　賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過標(biāo)準的工業(yè)協(xié)議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現(xiàn)53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應(yīng)用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
關(guān)鍵字： Cypress 圖像傳感器 CMOS

瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。　　在So
關(guān)鍵字：瑞薩電子 SRAM CMOS

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開拓新技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進CMOS技術(shù)進一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設(shè)計公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
關(guān)鍵字： Qualcomm CMOS 芯片設(shè)計

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
關(guān)鍵字： CMOS 0.5 um 電流反饋

TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
R=端接電阻的有效值
VHI=高電平輸出（通常等于VT）
VLO=低電平輸出
VEE=輸出晶體管的射極（或源極
關(guān)鍵字： CMOS TTL 集電極開路功耗

高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言
本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用
關(guān)鍵字： CMOS 高線性度調(diào)幅電路技術(shù)

CMOS雙向開關(guān)工作原理

CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個開關(guān)只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
關(guān)鍵字： CMOS 開關(guān) 工作原理

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機”夢受阻

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機 SiCMOS

imec中國成立與華力合作項目正式簽約

　　5月25日，imec中國正式在上海張江高科技園區(qū)成立。同時，與華力微電子在先進芯片制程工藝技術(shù)上的合作開發(fā)項目也正式簽約。　　imec與中國的合作已有十年的歷史，隨著中國在先進制程上的不斷投入，中國已經(jīng)成為imec潛在的一個重要市場。imec中國今后將會進一步加強與中國企業(yè)、高校和科研院所在微電子技術(shù)轉(zhuǎn)讓與許可、聯(lián)合研發(fā)以及培訓(xùn)等領(lǐng)域的合作。目前imec中國只有五名員工，隨著今后越來越多的合作協(xié)議的簽訂，imec中國將會吸引更多的研發(fā)人員與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)展開更加緊密地合作。　　imec中國成立當(dāng)天，
關(guān)鍵字： imec CMOS 65nm

音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個運算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字：電路設(shè)計 CMOS 功率放大器音頻

OmniVision推出世上最小高清攝像機解決方案

　　高端數(shù)字成像解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.今日推出了 OV2720，是世界上第一個1/6-inch，原生1080p/30的高清晰度(HD)的CMOS圖像傳感器。OV2720主要針對筆記本電腦，上網(wǎng)本，攝像頭和視頻會議等應(yīng)用而設(shè)計。OV2720是以該公司1.4微米「OmniBSI」背面照度(Backside Illumination，BSI)技術(shù)為基礎(chǔ)，可提供HD品質(zhì)的影像會議，同時還能符合現(xiàn)今薄型筆記本電腦所要求的模組尺寸。　　OV2720已開始
關(guān)鍵字： OmniVision CMOS，圖像傳感器

短話聯(lián)電30年

　　30年前的5月20日，臺灣第一家半導(dǎo)體公司─聯(lián)電誕生，這是培育半導(dǎo)體界人才的搖籃，由于投身晶圓代工產(chǎn)業(yè)，為臺灣半導(dǎo)體打造完整上中下游產(chǎn)業(yè)鏈，孕育臺灣兆元產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。聯(lián)電接著將借由合并和艦，啟動下一個30年的成長，揭開國內(nèi)半導(dǎo)體兩岸產(chǎn)業(yè)分工的新頁。　　聯(lián)電將在20日于南科12A廠盛大舉辦慶生活動，聯(lián)電榮譽董事長曹興誠表示，當(dāng)天將會和聯(lián)電榮譽副董事長宣明智透過網(wǎng)絡(luò)視訊，為聯(lián)電同仁加油、打氣。　　面對聯(lián)電下一個30年，曹興誠認為，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不像當(dāng)年，擁有資本市場的優(yōu)勢，但聯(lián)電處在一個對的經(jīng)營模
關(guān)鍵字：聯(lián)電晶圓代工 CMOS