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IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作

  • 　　IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺(tái)積電進(jìn)行合作。 　　盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來推動(dòng)CMOS技術(shù)的進(jìn)步。 　　IMEC總裁在Dresden的國(guó)際電子學(xué)年會(huì)上認(rèn)為,IMEC欲開發(fā)專業(yè)應(yīng)用的CMORE平臺(tái)。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲(chǔ)器采用熱，化學(xué)及光學(xué)傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結(jié)合在
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IR推出汽車用AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括直噴裝置和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 　　AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)傳輸時(shí)間非常短，可以在更高的頻率下驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，由此可通過使用更小的濾波元件縮小系統(tǒng)尺寸。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車用I
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

  • 本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)

  • 　　歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。 　　可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費(fèi)用高聳,也難以為繼。 　　近幾年來IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強(qiáng)它在全球的超級(jí)能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強(qiáng)合作。 　　IMEC作
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IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

  • 　　致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費(fèi)、計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供
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海力士將于5月決定8寸晶圓廠未來　

  • 　　海力士(Hynix)唯一還在運(yùn)作中的8寸晶圓廠M8產(chǎn)線，下周將確定往后的運(yùn)用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因?yàn)槌掷m(xù)運(yùn)作，早晚會(huì)遭遇收益性問題，而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設(shè)計(jì)業(yè)者提議將此設(shè)施作為代工專用廠使用，另外也有建構(gòu)成韓國(guó)代表性純代工廠的意見。 　　海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲22日在財(cái)報(bào)說明會(huì)中，針對(duì)M8 廠是否會(huì)改變?yōu)榇Ｓ脧S的問題表示，目前正在多方探討M8廠長(zhǎng)期性的活用方案，5月底前可定案。 　　位于韓國(guó)忠清北道清州的M8廠主要生產(chǎn)低容量快閃存儲(chǔ)器，并
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CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)計(jì)

  • 介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對(duì)其兩種快門方式進(jìn)行了比較。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)它所需要的時(shí)序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設(shè)計(jì)平臺(tái)，對(duì)采用不同配置和快門的時(shí)序控制電路進(jìn)行了仿真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足成像器的工作需求。
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全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

  • 低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫(yī)學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設(shè)備)圖像傳感器的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。現(xiàn)在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據(jù)很
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臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事

  • 　　象過去多年來一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見到張時(shí)仍是如1990年首次見到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
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三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

  • 韓國(guó)三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強(qiáng)合作

  • 　　臺(tái)積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢(shì)越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。 　　在近期舉行的臺(tái)積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺(tái)積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。 　　它對(duì)于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開始, 并相信未來臺(tái)積電會(huì)做得更好。 　　它同時(shí)指出，加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競(jìng)爭(zhēng)者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對(duì)于臺(tái)積電都能構(gòu)成大的威脅。 　　非常幸運(yùn), 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

  • 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

  • 　摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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CMOS集成CD4013觸摸開關(guān)

  • 這個(gè)電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個(gè)單穩(wěn)態(tài)電路和一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對(duì)觸摸信號(hào)進(jìn)行脈波寬度整形，保證每次觸摸動(dòng)作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅(qū)動(dòng)晶體管Q1的開通或關(guān)閉，進(jìn)而控
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)  觸摸  CD4013  集成  CMOS  
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