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CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

  • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
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CMOS圖像傳感器再見增長

  • 10年以前拍照手機(jī)盛行,加上便攜筆記本電腦和個人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機(jī),促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長,2006年登頂,達(dá)45億美元。但隨后產(chǎn)品市場走向成熟,制造商激增,圖像傳感器特別是用于拍照手機(jī)的產(chǎn)品供過于求而陷入困境,增速不穩(wěn),起伏不定,直至2011年才重新走上增長的道路。
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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

  • 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

  • 未來幾年由于消費(fèi)者對傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報(bào)告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

  • 1、引言小型會議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實(shí)現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對可靠性、經(jīng)
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基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種ESD保護(hù)電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真,基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì),并在一款多功能故
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一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要:設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個可用于12~14bit精度,100MS/s采樣頻率的高速流
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CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電,不像由二極管組成的CCD,CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗,只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右,這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是ld
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CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi),CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒用,因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi),CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因?yàn)镃MOS傳感器在10
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向 ...
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  •   AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化,將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經(jīng)采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝,海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段,在2012年年底開始生批量生產(chǎn),在2013年第一季度正式發(fā)布。   在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟,是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要:由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理,從而對設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電,以保護(hù)CMOS
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要:設(shè)計(jì)了一種基于流水線模/數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0.25mu;m CM
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