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45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場

  • 　　中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布，周四公司已經對IBM的45納米集成電路制成技術加以認證。 　　SMIC說，公司將會采用IBM的CMOS技術制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠。CMOS，或者說金屬氧化物半導體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。 　　公司在一次聯(lián)合聲明中表示，IBM技術將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動電話的元件，以及其他消費設備。該認證技術預期將對SMIC的65納米低端技術加以補充。 　　SMIC的總部設在上海，是中國最大的晶圓制造
  • 關鍵字： 芯片  45納米  CMOS  IC  制造制程  

數(shù)字電源――一個模擬公司的觀點

  • 　　現(xiàn)在到處都在談論數(shù)字電源。新成立的公司和已經取得牢固地位的半導體廠商都聲稱數(shù)字電源(或者更準確地說，是數(shù)字控制開關電源管理集成電路)比模擬為主的產品更勝一籌。他們說，新的數(shù)字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過時的模擬開關穩(wěn)壓器。人們將采用通用的數(shù)字CMOS工藝技術，而不再需要專有的模擬工藝技術，同時還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化：要么數(shù)字化;要么請走開，別再擋路。 　　我們先花點時間來琢磨一下這個詞?！皵?shù)字電源”或“數(shù)字控制電源”有幾種不同的含意。最簡單的定義是通過數(shù)
  • 關鍵字： 數(shù)字電源  模擬  CMOS  嵌入式  

TTL和CMOS電平總結

  •   1，TTL電平(什么是TTL電平)：  輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。   2，CMOS電平：  1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。   3，電平轉換電路：  因為TTL和COMS的高低電平
  • 關鍵字： TTL  CMOS  電平  嵌入式系統(tǒng)  單片機  嵌入式  

產生低失真正弦波的CMOS六角反相器

  • 　　本設計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設備電路，來為音頻電路設計與調試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數(shù)字合成器 (dds) 產生的正弦波具有更高的穩(wěn)定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網絡以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
  • 關鍵字： 正弦波  CMOS  數(shù)字合成器  放大器  

CMOS邏輯門電路

  • 　　CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結構 　　CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結構示意圖
  • 關鍵字： CMOS  邏輯門電路  邏輯電路  

賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結合用于電影拍攝

  • 　　賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng)意價值的講述故事的手段。 　　OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
  • 關鍵字： 賽普拉斯  圖像傳感器  CMOS  音視頻技術  

賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結合用于電影拍攝

  • 定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清（HD）圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
  • 關鍵字： 賽普拉斯  CMOS  圖像傳感器  視頻  傳感器  

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設計

  • 　　近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應的同時，得到普通運放所達不到的高增益。 　　1 高精度，高速度
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  軟件無線電  CMOS  放大器  放大器  

大電流 NPN 和 PNP LDO實現(xiàn)直接并聯(lián)和高功率密度

  • 　　低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)長期以來被認為是低性能的廉價器件，尤其是在與相對復雜的開關穩(wěn)壓器相比時更是這樣，不過，性能提高已經給簡單和不顯眼的LDO 注入了新的活力。電源設計師正在從LDO性能的以下改進中獲益。 　　
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  NPN  PNP  LDO  模擬IC  電源  

凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產品線，有助于在汽車應用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確?？煽繑?shù)據傳輸。 　　凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制，同時其它版本具有接
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  凌力爾特  RS422  CMOS  

意法半導體（ST）芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術升級

  • 　　意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。 　　這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的，原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數(shù)字數(shù)據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。 　　ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  意法半導體  45nm  CMOS  EDA  IC設計  

2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術的功能芯片

  • 　　2007年12月10日，意法半導體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術的功能芯片。 ?
  • 關鍵字： ST  CMOS  45nm  射頻  

CMOS集成電路設計中電阻設計方法的研究

  • 討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點、缺點及其不同的作用
  • 關鍵字： CMOS  集成電路設計  電阻  設計方法    

以有源電感為負載的CMOS寬帶LNA設計

  • 本文設計了一個基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設計。
  • 關鍵字： CMOS  LNA  有源電感  負載    

奧地利微電子發(fā)布超低噪聲300mA LDO

  • 　　奧地利微電子公司推出 AS1358/59/61/62 系列，擴展其低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 產品線。優(yōu)化后的系列可在1kHz典型條件下實現(xiàn)低于9µVRMS和高達92dB PSRR 的突出噪聲性能。奧地利微電子利用新產品系列為市場提供了同類產品中最高性能的 LDO 產品。 　　AS1358/59/61/62 系列可在 2V 至 5.5V電源下工作，是雙節(jié)或三節(jié)標準電池以及單節(jié)鋰電池供電應用的理想 LDO。這些新型超低噪聲 IC 在 150mA 時的低壓降電壓為 70mV，在300mA 時為
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  奧地利微電子  穩(wěn)壓器  LDO  電源  
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