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高速DSP與串行A/D轉(zhuǎn)換器TLC2558接口的設(shè)計

高速DSP與串行A/D轉(zhuǎn)換器TLC2558接口的設(shè)計,摘要：根據(jù)高速定點DSP芯片TMS320F206的特點，提出使用串行A/D轉(zhuǎn)換器TLC2558作為DSP系統(tǒng)的模擬量輸入部分，解決了以往基于并行數(shù)據(jù)傳輸?shù)腁/D轉(zhuǎn)換器不能與高速DSP進(jìn)行很好配合的問題。在此基礎(chǔ)上設(shè)計了DSP與串行A/D轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： TLC2558 接口設(shè)計轉(zhuǎn)換器 A/D DSP 串行高速

力科LabMaster 9 Zi-A示波器提供更高的帶寬

??????? 7月1日,力科公司高興地宣布，創(chuàng)新的LabMaster 9 Zi-A模塊化示波器系統(tǒng)新增36GHz，4通道型號，實現(xiàn)在相同的通道密度上提供更高的帶寬。新的36GHz帶寬性能比力科之前提供的同等通道密度上的帶寬高出20%，是目前世界上4通道最高的帶寬，這使得力科在客戶需求方面走在了前面。另外，LabMaster 9 Zi-A還具有其它重要的技術(shù)和性能優(yōu)勢。 ?????
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D/A轉(zhuǎn)換器中DAC0832電路

DAC0832是采用CMOS工藝制成的單片直流輸出型8位數(shù)/模轉(zhuǎn)換器。如圖1所示，它由倒T型R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)、模擬開關(guān)、運算放大器和參考電壓VREF四大部分組成。運算放大器輸出的模擬量V0為：　　　
　　由上式可見，輸出的模擬
關(guān)鍵字：電路 DAC0832 轉(zhuǎn)換器 D/A

RIGOL DS6000系列數(shù)字示波器榮獲R&D 100 大獎

　2011年6月22日，RIGOL DS6104數(shù)字示波器喜獲美國R&D Magazine評選的R&D 100年度產(chǎn)品大獎。R&D 100年度產(chǎn)品大獎是用于表彰年度科技創(chuàng)新產(chǎn)品的一項大獎，由專家和雜志編輯共同組成的評選委員會評出，其評審標(biāo)準(zhǔn)的重點在科技創(chuàng)新產(chǎn)品與市場需求緊密結(jié)合方面。評選產(chǎn)品的來源為工業(yè)領(lǐng)域，研究所，國家實驗室和私人研究機(jī)構(gòu)，包括新材料，新產(chǎn)品和新技術(shù)等多個領(lǐng)域。　　R&D 100 Award 自設(shè)立49年以來，已成為全球高科技領(lǐng)域極為推崇的大獎
關(guān)鍵字： R&D 數(shù)字示波器 DS6104

德州儀器推出業(yè)界首款高溫數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款高溫數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) — 苛刻環(huán)境采集終端 (H.E.A.T.) 評估板 (EVM)，其包含可滿足 -55oC 至 210oC 極端工作溫度要求的全系列 TI 信號鏈組件。H.E.A.T. EVM 可用于測試高溫爐，能夠在高達(dá) 200oC 的爐溫下工作長達(dá) 200 小時。該產(chǎn)品支持 8 個模擬數(shù)據(jù)通道，可在苛刻高溫環(huán)境下實現(xiàn)各種應(yīng)用的信號調(diào)節(jié)、數(shù)字化及處理，充分滿足井下鉆孔、噴射引擎以及重工業(yè)應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字： TI EVM H.E.A.T.

基于PIC單片機(jī)與16位串行D/A轉(zhuǎn)換的原理

下面介紹了基于PIC單片機(jī)與16位串行D/A轉(zhuǎn)換的原理：1．基本原理　　D/A轉(zhuǎn)換器相當(dāng)于一種譯碼電路，它將數(shù)字輸入傳換為模擬輸出：　　其中，D是數(shù)字輸入，VR是模擬參考輸入，Vo是模擬輸出。這里模擬輸出可以是電壓，也
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換原理 D/A 串行 PIC 單片機(jī) 基于

D-PHY MIPI雙相機(jī)/雙顯示屏應(yīng)用中的模擬開關(guān)

本文討論的MIPI模擬開關(guān)，對于HS流量模式，其上升/下降時間為150ps～450ps，它應(yīng)該盡可能靠近MIPI控制器或驅(qū)動器輸出放置。VCC去耦（0.1μF和/或1μF）也應(yīng)該盡可能靠近開關(guān)引腳放置。
關(guān)鍵字： D-PHY MIPI 雙相雙顯示屏

使用NI LabVIEW和NI硬件開發(fā)G.R.A.S.麥克風(fēng)校準(zhǔn)系

對于我們的應(yīng)用，選擇NI公司的模塊化硬件而非傳統(tǒng)的臺式儀器，關(guān)鍵原因是LabVIEW與NI硬件的無縫集成，這縮短了我們的總體開發(fā)時間。ndash; Ed Terrel, GRAS Sound VibrationG.R.A.S. Sound Vibration公司設(shè)計
關(guān)鍵字： G.R.A.S. LabVIEW NI硬件麥克風(fēng)

無采樣保持運放的12位流水線A/D轉(zhuǎn)換器

　　摘要: 設(shè)計了一個12 位200 MS/s中頻采樣的流水線ADC，將輸入信號采樣保持功能集成在第一級級電路中，從而省去了采樣保持運算放大器電路(SHA-less)。設(shè)計了帶有占空比穩(wěn)定功能的時鐘延遲鎖相環(huán)電路(DLL)，同時有效控制采樣時鐘的抖動保證高頻輸入信號的轉(zhuǎn)換性能。　
關(guān)鍵字： A/D轉(zhuǎn)換器動態(tài)比較器 201105

GSM、GPRS結(jié)合A-GPS之手機(jī)解決方案

臺灣的華寶通訊2005年2月在法國坎城舉辦的3GSM，發(fā)表全球第一款GSM/GPRS規(guī)格的A-GPS（Assisted-GPS）手機(jī)。華寶這...
關(guān)鍵字： GSM、GPRS A-GPS

500兆/秒高速A/D系統(tǒng)的實現(xiàn)

摘要：介紹采樣率為500兆/秒、采樣精度為8bit的高速A/D系統(tǒng)的設(shè)計結(jié)構(gòu)以及高速電路設(shè)計中的問題,最后還討論了如何在Windows95下設(shè)計具有實時性要求的程序。關(guān)鍵詞：高速A/D變換高速電路設(shè)計 Windows95 實時程
關(guān)鍵字：實現(xiàn) 系統(tǒng) A/D 高速

自適用控制A/D轉(zhuǎn)換編碼電路的設(shè)計與應(yīng)用

摘要：本文介紹了一種自適應(yīng)控制A/D轉(zhuǎn)換編碼電路,著重分析了調(diào)理電路自動增益控制、誤差補(bǔ)償與A/D轉(zhuǎn)換編碼原理,探討了該電路的局限性,給出了自適應(yīng)控制A/D轉(zhuǎn)換編碼電路設(shè)計方案及其與微處理器的接口應(yīng)用。關(guān)鍵詞
關(guān)鍵字：電路設(shè)計應(yīng)用編碼轉(zhuǎn)換控制 A/D 適用

一種用單片機(jī)控制的光譜數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計

一種用單片機(jī)控制的光譜數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計摘要：介紹利用單片機(jī)和A/D器件MAX120等構(gòu)成的光譜信號采集系統(tǒng),由單片機(jī)控制A/D產(chǎn)生不同的采樣頻率,用于光電倍增管和CCD輸出的光譜信號的采集?！　￡P(guān)鍵詞：單片機(jī) A/D 信
關(guān)鍵字：單片機(jī) A/D 信號采集光譜
　　概述
　　在光譜測量中常用光電倍增管（PMT）和電荷耦合器件（CCD）作為光電轉(zhuǎn)換器。在慢變化、高精度光譜測量中使用PMT 對于閃光燈、熒光和磷光等強(qiáng)度隨時間變化時的光譜信號則采用CCD。PMT和CCD輸出的信號形式是不同的：光電倍增管輸出的是連續(xù)的模擬信號 CCD輸出的是視頻脈沖信號。由于輸出信號的不同相應(yīng)的信號采集電路也不盡相同。本文所述的系統(tǒng)通過設(shè)定控制開關(guān)的不同狀態(tài) 由單片機(jī)檢測、判斷和執(zhí)行相應(yīng)的操作完成對不同形式輸入

三相電信號采集電路設(shè)計

本文設(shè)計了一種三相電信號采集電路，可以實現(xiàn)三相電壓/電流的六路同步采樣。A/D轉(zhuǎn)換芯片采用的是ADI公司產(chǎn)的A/D7656芯片。以鎖相環(huán)HEF4046和CD4060構(gòu)成采樣的倍頻信號作為A/D轉(zhuǎn)換的控制信號，可以實現(xiàn)每周波動態(tài)等間距信號采集。本電路的輸出接口電壓可以根據(jù)需要調(diào)整為3.3V或者5V，直接與DSP或MCU相連。
關(guān)鍵字：三相電采集電路 A/D7656 硬件同步采樣 HEF4046 201104

基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計

摘要：文中針對高壓節(jié)能應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散BCD兼容工藝，實現(xiàn)了一種新型D-RESURF結(jié)構(gòu)的700V LDMOS設(shè)計。結(jié)構(gòu)中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區(qū)長度縮減至70mu;m，使得芯片面積和制
關(guān)鍵字： D-RESURF LDMOS 設(shè)計新型擴(kuò)散超薄外延技術(shù) 基于