e-flash 文章進(jìn)入e-flash技術(shù)社區(qū)

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢(xún)的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無(wú)需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過(guò)數(shù)據(jù)加載將用戶(hù)程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
關(guān)鍵字： DSP 加栽模式二次加載 Flash

英特爾Broadwell-E據(jù)稱(chēng)推遲到2016年 Skylake-S已經(jīng)

英特爾喜歡為每一個(gè)新的CPU架構(gòu)推出數(shù)款發(fā)燒級(jí)產(chǎn)品。例如最近我們看到英特爾推出的Haswell-E產(chǎn)品線(xiàn)，這是普通Haswell產(chǎn)品發(fā)布一年之后的發(fā)燒級(jí)產(chǎn)品。
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三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠(chǎng)商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
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PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)明年發(fā)布 PCI-E 5.0正在規(guī)劃

　　PCI-E 2.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布四年后的2010年，PCI-E 3.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范歷經(jīng)磨難終于正式誕生，距今已經(jīng)長(zhǎng)達(dá)六年，在快速發(fā)展的科技行業(yè)內(nèi)有些不可思議。　　其實(shí)這些年里，PCI-E 4.0也曾多次被人提及，但一直只是個(gè)概念，而根據(jù)PCI SIG組織的最新規(guī)劃，PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)將在2017年正式發(fā)布。　　和以往歷代標(biāo)準(zhǔn)一樣，PCI-E 4.0的主要使命也是繼續(xù)提速，數(shù)據(jù)傳輸率將從PCI-E 3.0 8GT/s翻番到16GT/s。　　事實(shí)上，PCI-E 3.0能達(dá)到這么高的速度是費(fèi)了老鼻子勁
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠(chǎng)商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖)，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段：　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器

全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段：　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類(lèi)，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器市場(chǎng) DRAM Flash 201607

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠(chǎng)持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
關(guān)鍵字： NAND Flash