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EEPW首頁 >> 主題列表 >> f-22

線性光耦器件IL300-F-X009原理及其應用

  • 摘要：介紹在采集交流永磁同步電機母線電流時，為防止外界的各種干擾，必須將霍爾傳感器測量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號，進行電壓檢測，用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選
  • 關鍵字： 300  009  F-X  IL    

Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無線存儲器套件

  • 　　世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領先的高性能模擬IC設計商與生產商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。 　　
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  RFID  

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

  • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
  • 關鍵字： 存儲器  F-RAM  使用  需要  電子  電能表  為何  

由單片IC構成的廉價100KHZ V-F轉換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉換器標準電路，它把0~10V的輸入電壓轉換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
  • 關鍵字： V-F  轉換器  100KHZ  廉價  IC  構成  單片  

F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設計之比較

  • 　　引言 　　高性能和環(huán)保是當前技術創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 　　若系統(tǒng)設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  BBSRAM  

Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲器MaxArias

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation日前宣布，現(xiàn)正向數(shù)個行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，能夠在廣泛的應用領域中，實現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。 　　Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  MaxArias  無線存儲器  

Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進一步擴大其符合AEC-Q100汽車標準要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標準的汽車存儲器產品的新成員。
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  存儲器  FM25L16-GA  

關于V系列F-RAM的技術說明

  • 　　全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  FM24V02  FM25V02  200909  

Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。 　　與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  儲存器  FM14C88  RAID  

Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點。FM28V020可用于工業(yè)控制、
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  FM28V020  非易失性鐵電存儲器  

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴展V系列產品線

  • 　　全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation，發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay&t
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  非易失性  串口  

Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計算機有限公司采用，以生產創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲設備—固態(tài)硬盤 (solid-state disk, SSD)。 　　盛博科技專門研究、開發(fā)和生產基于國際標準的嵌入式硬件和軟件系統(tǒng)，瞄準工業(yè)自動化市場，終端客戶遍及軌道運輸、電力、醫(yī)療設備和運動控制等應用領域。 　　除了能夠在斷電后保持數(shù)
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  固態(tài)硬盤  FM22L16  SSD  

Ramtron推出32Kb器件擴展F-RAM串口存儲器

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  非易失性存儲器  NoDelay  SOIC  

混合動力是新能源汽車切入點 IGBT成驅動核心

  • 　　目前，混合動力汽車是大規(guī)模應用新能源汽車的切入點。功率半導體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。 　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車，這預示著新能源汽車即將進入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車的推廣也進入了一個關鍵時期，今年2月，財政部、科技部發(fā)出《關于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知》，推廣節(jié)能與
  • 關鍵字： 新能源  IGBT  F-RAM  混合動力  

RAMTRON 宣布與 IBM 達成代工協(xié)議

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達成代工服務協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國 佛蒙特 州伯靈頓市的先進晶圓制造設施內增設 Ramtron 的 F-RAM 半導體工藝技術，一旦安裝完畢，這一新代工服務將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導體產品的基礎。 　　Ramtron首席運營官 Bob Djokovich 稱：“我們期
  • 關鍵字： Ramtron  F-RAM  IBM   
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