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SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元

  •   次世代資料儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價(jià)格,2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑,SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大,有加速普及的傾向。   據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo),256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價(jià)格226美元相比,跌幅更達(dá)45.1%,意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
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臺(tái)內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場

  •   征戰(zhàn)海外展覽的臺(tái)灣內(nèi)存大廠,終于在日本找到了機(jī)會(huì)。
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六大NAND Flash廠商:東芝最“吸金”

  •   2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因?yàn)樗顫q勢最猛。
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  東芝  三星  

美光咬蘋果大單 力成同樂

  •   蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開一波拉貨,力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲(chǔ)器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵(lì)今天股價(jià)逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。   據(jù)了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé),由于測試時(shí)
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臺(tái)IC設(shè)計(jì)前3季 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名

  •   IC設(shè)計(jì)第3季財(cái)報(bào)全數(shù)公布完畢,累計(jì)前3季,聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元,穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)每股盈余獲利王,也是稅后凈利獲利王,其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW),前3季每股稅后盈余為13.67元,排名第二,第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW),前3季每股盈余為13.34元,排名第三。   根據(jù)公開資訊站資料顯示,聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)之冠,表現(xiàn)亮眼,顯示行動(dòng)裝置需求持續(xù)升溫,第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下,相關(guān)廠商營運(yùn)表現(xiàn)都相當(dāng)亮眼,聯(lián)發(fā)科第
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下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場將占全球兩成

  •   TrendForce最新研究報(bào)告顯示,隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放,GDP成長率呈現(xiàn)高度的成長,所伴隨而來的就是驚人的消費(fèi)潛力,無論是PC、智能型手機(jī)與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,以2Gb顆粒來換算,2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億,分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。   從DRAM市場來觀察,PC-DRAM在中國市場的消化量已經(jīng)來到15%,內(nèi)需市場的強(qiáng)勁
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  •   引言   FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性,對存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。   FLASH的特點(diǎn)   FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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OEM需求拉貨動(dòng)能增溫,第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  •   第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年,NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流,有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世,整體N
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法

  •   在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實(shí)際應(yīng)用中,這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

  •   由于航天應(yīng)用對可靠性提出了更高的要求,這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí),撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù),使系統(tǒng)運(yùn)行到無法預(yù)知的狀態(tài),從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比,在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢,可靠性高。   ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù),包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù),定位
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一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法

  •   摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法,并完成了設(shè)計(jì)和仿真。   關(guān)鍵詞:微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM   由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí),MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展, 因此往往需要對最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比,最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬次的擦寫操作,順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面,F(xiàn)lash MCU市場價(jià)格也在不斷下降。因此,許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
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終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場穩(wěn)健增長

  •   TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  穿戴性裝置  

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

  •   摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí),采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子,詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。   1 背景描述   筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
  • 關(guān)鍵字: ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

上海海爾:向通用MCU進(jìn)發(fā)

  •   今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品,有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。   專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么?   處于從專用向通用MCU升級(jí)的開端   MCU(單片機(jī),微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī),而日本、
  • 關(guān)鍵字: 海爾  MCU  Flash  201408  

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: LVDS  FPGA  Flash  
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