gan ic 文章進(jìn)入gan ic技術(shù)社區(qū)

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢，可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長的電力需求，
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臺達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，瞄準(zhǔn)GaN

6月21日，臺達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強(qiáng)臺達(dá)在電動車領(lǐng)域的核心競爭力。臺達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢，提升電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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GaN“上車”進(jìn)程加速，車用功率器件市場格局將改寫

根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測，氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場2023至2029年平均復(fù)合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應(yīng)用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠(yuǎn)低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速，功率器件器件市場競爭格局或?qū)⒈桓膶?。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
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德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率?！? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設(shè)
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漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團(tuán)隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
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西門子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設(shè)計提供端到端的芯片質(zhì)量保證

●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設(shè)計周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證，為IP開發(fā)團(tuán)隊提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計知識產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
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全球芯片設(shè)計廠商TOP10：英偉達(dá)首次登頂

得益于人工智能需求激增推動的英偉達(dá)營收大增，全球前十大芯片設(shè)計廠商在去年的營收超過了1600億美元，英偉達(dá)也首次成為年度營收最高的芯片設(shè)計廠商。
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欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
關(guān)鍵字：欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC