首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan ic

低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢

  • 消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現(xiàn)代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓撲
  • 關鍵字： TI  GaN   電源拓撲  

Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴展隔離柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合

  • 美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅(qū)動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數(shù)據(jù)中心電源）中大功率能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設計。Allegro 副總裁兼
  • 關鍵字： Allegro  Power-Thru IC  隔離柵極驅(qū)動器  

瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容

  • 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
  • 關鍵字： 瑞薩  Transphorm  GaN  

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

  • 近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據(jù)悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
  • 關鍵字： GaN  散熱能力  

使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

  • 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設計者必須不斷提地
  • 關鍵字： DigiKey  GaN  AC/DC  

基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ

  • 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
  • 關鍵字： TI  GaN  圖騰柱  PFC  TIDA-00961  FAQ  

宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應用場景

  • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
  • 關鍵字： 宜普電源  CES 2024  氮化鎵  GaN  

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
  • 關鍵字： Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

Microchip發(fā)布最新款TrustAnchor安全IC，充分滿足更高的汽車安全認證要求

  • 2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯(lián)性不斷提高、技術(shù)日益先進，對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車OEM最新的網(wǎng)絡安全規(guī)范開始包含更大的密鑰尺寸和愛德華曲線ed25519算法標準（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
  • 關鍵字： Microchip  TrustAnchor  IC  汽車安全認證  

“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
  • 關鍵字： GaN  寬禁帶  SiC  

Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

  • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現(xiàn)了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
  • 關鍵字： Efficient Energy Technology  EET  SolMate  EPC  氮化鎵器件  GaN  

面向配件生態(tài)系統(tǒng)和一次性用品應用的高性價比 安全身份驗證解決方案

  • Microchip Technology Inc.安全及計算產(chǎn)品部市場經(jīng)理Xavier Bignalet如果您對單個配件的身份驗證、規(guī)范化電子配件生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性價比安全身份驗證IC?？纯此鼈兲峁┝四男┌踩匦詠韼椭鷮崿F(xiàn)反威脅模型。面向一次性用品和配件生態(tài)系統(tǒng)的成本優(yōu)化型安全身份驗證 IC不知您是否有注意到，其實我們每天都在經(jīng)歷著各種安全身份驗證過程。例如，當您發(fā)送電子郵件、將手機插入充電器或打印文檔時，后臺都有在進行身份驗證。本
  • 關鍵字： Microchip  MCU  IC  

面向GaN功率放大器的電源解決方案

  • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術(shù)，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
  • 關鍵字： Qorvo  GaN  功率放大器  

日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導電

  • 當?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實現(xiàn)了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800
  • 關鍵字： GaN  垂直導電  OKI  

1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關耐壓上限

  • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個的市場應用中
  • 關鍵字： 1250V  PI  PowiGaN  GaN  
共1764條 4/118 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

gan ic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan ic的理解，并與今后在此搜索gan ic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473