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智能模塊IPM在雙PWM變頻器中的應(yīng)用
- 介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用,詳細(xì)介紹了IPM的引腳功能及其在系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì),給出了原理圖及接線圖,并提出設(shè)計(jì)中各種注意事項(xiàng)。
- 關(guān)鍵字: IPM 雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng) 引腳
三菱電機(jī)推出第四代DIP-IPM
- 三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM(雙列直插型智能功率模塊),在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為參觀者帶來現(xiàn)今世界上最領(lǐng)先的變頻家電節(jié)能技術(shù)。 三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū),早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)的DIP-IPM。2004年以來,DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化,并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今,為提高DIP-IPM的性價(jià)比,增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
- 關(guān)鍵字: 三菱 DIP-IPM 功率模塊 電源 200802
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 摘 要:以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例,介紹IPM的結(jié)構(gòu),給出。IPM的外圍驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計(jì)方案,介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞:IPM:電路設(shè)計(jì);PM200DSA060;逆變器 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計(jì) PM200DSA060 模擬IC 電源
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字: IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用
- 摘 要:本文主要介紹一個(gè)由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用,解決了原有芯片死區(qū)時(shí)間不確定的問題。關(guān)鍵詞:延遲電路;IPM;死區(qū)時(shí)間 變頻控制死區(qū)時(shí)間簡(jiǎn)介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道,控制IPM工作的六路PWM信號(hào),在導(dǎo)通時(shí)序上,控制同一通道的上下兩路信號(hào)不能出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的情況,如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,如果同時(shí)導(dǎo)通,輕則引起IPM的工作保護(hù),造成停機(jī),重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字: IPM 死區(qū)時(shí)間 延遲電路
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