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IPM

  • IPM智能功率模塊　　IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一 ...
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利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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IPM自舉電路設(shè)計(jì)難題探討

  • 實(shí)現(xiàn)自舉有兩個(gè)關(guān)鍵問題：一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后，當(dāng)下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通，而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間，電容會(huì)放電，因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動(dòng)能力。如果以上兩個(gè)問題
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IPM模塊實(shí)現(xiàn)通用變頻器實(shí)用電路

  • 1 前言 變頻器已應(yīng)用于各行各業(yè)的多種設(shè)備,并成為當(dāng)今節(jié)電,改造傳統(tǒng)工業(yè),改善工藝流程,提高生產(chǎn)過程自動(dòng)化水平,提高產(chǎn)品質(zhì)量,改善環(huán)境的主要技術(shù)之一。 開關(guān)器件是變頻器的核心器件,絕緣柵雙極型品體管(ICBT)
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
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三菱電機(jī)汽車用J系列EV-IPM和EV T-PMPCIM亞洲展亮相

  •        三菱電機(jī)攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國際會(huì)議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號(hào)A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊，大受廠家歡迎。        受到近幾年環(huán)保意識(shí)提高的影響，混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車等市場不斷擴(kuò)大。由于對(duì)汽車有著很高的安全性要求，因而對(duì)用于汽車馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體模塊，
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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利用智能功率模塊(IPM)來驅(qū)動(dòng)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)

  • 　　過去10年中，盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動(dòng)IM最簡單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動(dòng)和軟啟
  • 關(guān)鍵字： 三相  感應(yīng)  馬達(dá)  IM  驅(qū)動(dòng)  IPM  智能  功率  模塊  利用  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    
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