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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
關(guān)鍵字：富士通功率器件 GaN MB51T008A

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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小功率智能化中頻逆變電源的研制

摘要：研制一種基于TMS320LF2407A數(shù)字信號(hào)處理器和PS21964智能功率模塊(IPM)的智能化SPWM中頻逆變電源控制系統(tǒng)。對(duì)中頻逆變電源的功率主電路、控制電路以及保護(hù)電路等進(jìn)行了詳細(xì)闡述。實(shí)現(xiàn)了中頻逆變電源小型化和高性
關(guān)鍵字：中頻逆變電源 DSP SPWM IPM

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

　　因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。　　目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。　　而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開(kāi)始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開(kāi)始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
關(guān)鍵字： LED GaN

GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

采用Si基板降低成本，通過(guò)改變構(gòu)造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
關(guān)鍵字： GaN類功率半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 GaN

IPM自舉電路設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題研究

通常IPM模塊應(yīng)有四路獨(dú)立電源供電，下橋臂三個(gè)IGBT控制電路共用一個(gè)獨(dú)立電源，上橋臂三個(gè)IGBT控制電路用三...
關(guān)鍵字： IPM 自舉電路設(shè)計(jì)

功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場(chǎng) 電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域

　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng) 　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對(duì)降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。　　增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自新領(lǐng)域　　LE
關(guān)鍵字：安森美 IPM

富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。
關(guān)鍵字：富士通功率器 GaN

基于智能功率模塊(IPM)的三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)驅(qū)動(dòng)

過(guò)去10年中，盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動(dòng)IM最簡(jiǎn)單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動(dòng)和軟啟動(dòng)器
關(guān)鍵字：感應(yīng) 馬達(dá) IM 驅(qū)動(dòng) 三相 IPM 智能功率模塊基于

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 功放最佳效率 TD-LTE GaN

“主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： GaN 恩智浦氮化鎵射頻功率晶體管

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
關(guān)鍵字：科銳放大器 GaN