gan ipm 文章進(jìn)入gan ipm技術(shù)社區(qū)

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
關(guān)鍵字： GAN 蜂窩話音質(zhì)量

用于控制變速電動機(jī)的功率模塊

　　改善洗衣機(jī)、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達(dá)轉(zhuǎn)換到變速馬達(dá)可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設(shè)計的難度較大，雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項目的數(shù)字設(shè)計工作難度，但是設(shè)計人員仍需要集成模塊和相關(guān)的設(shè)計工具來促進(jìn)功率級的設(shè)計。　　為了使低成本變速馬達(dá)控制器成為可能，元器件供應(yīng)商設(shè)法通過簡化設(shè)計和降低結(jié)構(gòu)復(fù)雜度來減少變速控制器的成本。例如，已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號控制平臺，它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達(dá)控制外圍設(shè)備的RISC處理器。這些平臺可運(yùn)行第三方或者自行開發(fā)
關(guān)鍵字：電動機(jī) IPM DSP PWM 馬達(dá)

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

　　要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動電話 UMA GAN SEGW WLAN

中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN

藍(lán)色激光的應(yīng)用

藍(lán)色激光所使用的半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，GaN在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的獨特...
關(guān)鍵字：藍(lán)色激光激光光束 GaN 1970年 Nichia 激光打印激光器外線單晶生長深紫

智能模塊IPM在雙PWM變頻器中的應(yīng)用

介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用，詳細(xì)介紹了IPM的引腳功能及其在系統(tǒng)中的驅(qū)動和電源設(shè)計，給出了原理圖及接線圖，并提出設(shè)計中各種注意事項。
關(guān)鍵字： IPM 雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng) 引腳

三菱電機(jī)推出第四代DIP-IPM

三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM（雙列直插型智能功率模塊），在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為參觀者帶來現(xiàn)今世界上最領(lǐng)先的變頻家電節(jié)能技術(shù)。三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū)，早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動的DIP-IPM。2004年以來，DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化，并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今，為提高DIP-IPM的性價比，增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
關(guān)鍵字：三菱 DIP-IPM 功率模塊電源 200802

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

摘要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結(jié)構(gòu)，給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IPM：電路設(shè)計；PM200DSA060；逆變器 1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計 PM200DSA060 模擬IC 電源

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊

一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用

摘要：本文主要介紹一個由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用，解決了原有芯片死區(qū)時間不確定的問題。關(guān)鍵詞：延遲電路；IPM；死區(qū)時間變頻控制死區(qū)時間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導(dǎo)通時序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現(xiàn)同時導(dǎo)通的情況，如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個IGBT不能同時導(dǎo)通，如果同時導(dǎo)通，輕則引起IPM的工作保護(hù)，造成停機(jī)，重則將IPM模塊擊
關(guān)鍵字： IPM 死區(qū)時間延遲電路