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GaN 良率受限，難以取代 IGBT

  • GaN 要快速擴散至各應用領域，仍有層層關卡待突破。
  • 關鍵字： GaN  

市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
  • 關鍵字： 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

GaN 時代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產生后續(xù)替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網
  • 關鍵字： GaN  SiC  

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

  • 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功
  • 關鍵字： GaN  HEMT  短路保護  

英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems）

  • 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司。氮化鎵系統公司是全球領先的科技公司，致力于為功率轉換應用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術為打造更加
  • 關鍵字： 英飛凌將  氮化鎵系統公司  GaN Systems  氮化鎵產品  

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
  • 關鍵字： 安森美  GaN  驅動器  PCB  

氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
  • 關鍵字： 安森美  GaN  PCB  

納芯微新品，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管的半橋芯片NSD2621

  • 前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸的波動。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
  • 關鍵字： GaN  納芯微  半橋驅動芯片  

納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K

  • 納芯微全新推出GaN相關產品，包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產品，內部集成了高壓半橋驅動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動電流2A/-4A 03.&n
  • 關鍵字： 納芯微  GaN  

基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產品實體圖?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  PD  QR  高頻率  GaN  

基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： 安森美  有源鉗位  NCP1568  GaN  PD電源  適配器  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字： NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

  • 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
  • 關鍵字： 英飛凌  PFC和混合反激式組合IC  GaN  USB-C EPR適配器  

基于安森美半導體NCP1342驅動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

  • 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協議?核心技術優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD  

格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

  • 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
  • 關鍵字： 格芯獲  GaN  
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