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Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

  • 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計，可加強 Qorvo GaN PA 的設(shè)計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負(fù)柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

  • 1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一 張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進，止于完美逼 近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
  • 關(guān)鍵字： 202206  GAN  人機協(xié)同  

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè)，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
  • 關(guān)鍵字： GaN  宜普  

毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

  • 5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場機會，例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫(yī)療，并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風(fēng)險?！?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
  • 關(guān)鍵字： 202206  毫米波  5G  GAN  

第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

  • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對于整個第三代半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點對點和點對多點微波通
  • 關(guān)鍵字： 202206  第三代半導(dǎo)體  GaN  

TI：運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

  • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào)，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

  • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應(yīng)用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆，使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質(zhì)化代幣NFT(
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射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

  • 　　當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡(luò)運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴(yán)峻。因此，限制設(shè)備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無限

  • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設(shè)計。　　與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

  • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關(guān)的潛力?！　〉壍膶?dǎo)熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導(dǎo)率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度

  • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設(shè)計得以實施。在許多具體應(yīng)用中，由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設(shè)計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設(shè)計

  • 意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關(guān)拓?fù)洌珊芏喙δ?，包括?nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應(yīng)用于高開關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設(shè)計先進的高能效開關(guān)電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設(shè)計人員利用 GaN 寬禁帶
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不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)

  • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！　‘?dāng)然，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù)，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧。　　而這里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
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氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

  • 根據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預(yù)測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導(dǎo)體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料，成為高溫、高頻、大功
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氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

  • 　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看?！　〉壥堑玩壍幕衔?，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的
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