gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布已收購(gòu)Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示，此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì)，可幫助數(shù)據(jù)中心滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電力需求，
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臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)GaN

6月21日，臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì)，增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過(guò)與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提升電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)

根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè)，氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長(zhǎng) (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應(yīng)用市場(chǎng)成長(zhǎng)則顯得比較溫和，CAGR遠(yuǎn)低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶?xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車(chē)空調(diào)、新能
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德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。●? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)
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漲知識(shí)！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對(duì)氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對(duì)氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對(duì)不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對(duì)比說(shuō)明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對(duì)比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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純化合物半導(dǎo)體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠(chǎng)穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
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CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克股票代碼：QRVO）合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的 DFN 封裝，堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，
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CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現(xiàn)對(duì)潛在客戶(hù)的聯(lián)合訪(fǎng)問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì)，在開(kāi)發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
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Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購(gòu)將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用mos管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過(guò)來(lái)即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反。解釋3：增強(qiáng)型相對(duì)于耗盡型
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類(lèi)音頻放大器

D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車(chē)、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人

基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大，而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本：●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)，在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用單個(gè)FET，可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
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