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數(shù)據(jù)分析:首季度中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展增速放緩

  • 進入2007年,全球半導(dǎo)體市場明顯呈現(xiàn)增長乏力的態(tài)勢。與此同時,受產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整、市場競爭加劇的影響,國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)增長放緩、效益下滑的情況。在這兩方面因素影響下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度也明顯放緩。據(jù)統(tǒng)計,1-3月份國內(nèi)集成電路總產(chǎn)量為85.29億塊,同比增長12.3%。全行業(yè)銷售收入總額為271.21億元人民幣,同比增長27.4%,其增幅與2006年四季度相比回落8.7個百分點。   從一季度國內(nèi)集成電路設(shè)計、芯片制造與封裝測試三大行業(yè)的發(fā)展情況看,均不同程度的受到
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立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502

  • 立锜科技(RichtekTechnology)針對單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應(yīng)用推出創(chuàng)新設(shè)計的充電IC─RT9502。該產(chǎn)品提供了簡單的外部線路架構(gòu)、整合性的MOSFET、自動選擇ADAPTER和USB雙輸入來源,且充電指示燈號不會因為拿掉電池而產(chǎn)生微亮的錯誤信號,具備簡單的充電電流設(shè)定,在簡化了整機電路和軟件設(shè)計的同時,更提供高達18V的過電壓保護。  目前便攜式的電子產(chǎn)品已經(jīng)走向輕薄短小的趨勢,而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢的應(yīng)用,RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
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IR推出低壓電機驅(qū)動應(yīng)用的200V IC

  • 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機驅(qū)動應(yīng)用的200V IC,這些應(yīng)用包括電動工具、低壓伺服驅(qū)動系統(tǒng)、電動園藝設(shè)備,以及像起重機、高爾夫球車和滑板車的電動車。 IRS200x系列半橋、高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

  • 盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格,可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品,例如PC/NBcameramodule,PC外圍產(chǎn)品,低電壓MCU,DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi),HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內(nèi)建的保護功能有過電流及過熱保護,為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。  HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

  • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管,以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應(yīng)9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

  • 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來將靈活運用這一特長,加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來
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遠翔雙組外推DC/DC同步整流IC具保護功能

  • 遠翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC,將補齊產(chǎn)品系列現(xiàn)階段從5A以上使用的負載規(guī)格;這顆編號FP5148的IC采用散熱型低腳數(shù)SOP16及QFN-16L小型封裝,IC本身具備較寬的操作電壓范圍,并可由使用者自行調(diào)整PWM工作頻率和電源軟激活時間,在保護機制上針對電源異常部分則提供有過電流、短路及欠壓等保護功能,必要時亦可藉由HousekeepingIC直接關(guān)閉IC來達成待機或斷電保護狀態(tài)。 遠翔科技并于該季另提供有1A-3A負載規(guī)格使用外推PMOS雙組差相型I
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

  • 盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格,可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品,例如PC/NBcameramodule,PC外圍產(chǎn)品,低電壓MCU,DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi),HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內(nèi)建的保護功能有過電流及過熱保護,為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。  HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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半導(dǎo)體制程微細化技術(shù)再突破 從65nm到45nm的微觀神話

  • 半導(dǎo)體制程微細化趨勢1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復(fù)雜度提升,芯片數(shù)目必將增加,每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后,半導(dǎo)體微細化制程技術(shù)日新月異,結(jié)構(gòu)尺寸從微米推向深亞微米,進而邁入納米時代。半導(dǎo)體制程微細化趨勢也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結(jié)構(gòu),10年前IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)投入線路設(shè)計與掩膜制程的費用,僅占總體成本的13%,半導(dǎo)體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進入深亞微米制程后,IC線路設(shè)計及掩膜成本便大幅提升到62%。當(dāng)芯片結(jié)構(gòu)體尺寸小于100納米時,光學(xué)光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵:硅晶制程
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東芝今年開始生產(chǎn)閃存芯片 采用43納米制程

  • 據(jù)日本經(jīng)濟新聞4月21日報道,東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片,以降低生產(chǎn)成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商,僅次于韓國三星電子。報道指出,由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%,因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。  日經(jīng)新聞稱,使用43納米制程,將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。 報道稱,三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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IC:摩爾定律驅(qū)動下集成度和復(fù)雜度加速提高

  • 設(shè)計技術(shù):面向SoC設(shè)計成主流 面向SoC的設(shè)計方法將成主流 由于電子整機系統(tǒng)不斷向輕、薄、小的方向發(fā)展,集成電路功能也由單一向復(fù)雜轉(zhuǎn)變,并且向系統(tǒng)集成發(fā)展的方向已經(jīng)明確。目前,SoC電路已經(jīng)能在單一硅芯片上實現(xiàn)信號采集、轉(zhuǎn)換、存儲、處理和輸入/輸出等功能。由此可見,將數(shù)字電路、存儲器、CPU、DSP、射頻電路、模擬電路、傳感器甚至微機電系統(tǒng)(MEMS)等集成在單一芯片上,實現(xiàn)一個完整系統(tǒng)功能的SoC設(shè)計將成為未來集成電路設(shè)計的主流。未來SoC芯片的設(shè)計將以IP復(fù)用為基礎(chǔ),把已優(yōu)化的子系統(tǒng)甚至系統(tǒng)級模塊納
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北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模居國內(nèi)第一

  •   記者從16日在京舉行的“集成電路設(shè)計服務(wù)—封裝測試論壇”了解到,北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模穩(wěn)居國內(nèi)第一。   北京市科委提供的數(shù)據(jù)顯示,2006年,北京集成電路設(shè)計業(yè)以近60億元的銷售總額穩(wěn)居國內(nèi)第一,遠遠超過其他省市。在最近3年的全國十大集成電路設(shè)計企業(yè)排行榜上,北京每年均有4家企業(yè)入圍。   目前北京的集成電路設(shè)計企業(yè)已超過100家,龍芯、眾志、星光系列等一批“中國芯”都屬于國家重大創(chuàng)新成果。在北京市科委支持下,北京華大泰思特半導(dǎo)體檢測技術(shù)公司和北京自動化測試技術(shù)研究所共同承擔(dān)的“北京集成電路設(shè)
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富士通推出汽車導(dǎo)航與數(shù)字儀表板用大規(guī)模集成電路

  • 富士通微電子針對新一代汽車器件開發(fā)了一種系統(tǒng)大規(guī)模集成電路,僅在一顆芯片中就集成了各種功能,如二維/三維圖像、汽車通訊控制系統(tǒng)、程序保護功能和各種多媒體接口。該產(chǎn)品可處理來自汽車導(dǎo)航器件或數(shù)字儀表板的數(shù)據(jù)和車載網(wǎng)絡(luò)的信息,從而在提供舒適駕駛環(huán)境的同時,實現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。另外,把這些特點集成在一顆芯片上還可以減少系統(tǒng)成本。 當(dāng)前,汽車信息娛樂系統(tǒng),尤其是汽車導(dǎo)航器件,在全球范圍內(nèi)的市場正在不斷擴大,因此為實現(xiàn)進一步發(fā)展,有必要減少額外的系統(tǒng)成本并提高顯示圖像質(zhì)量。 同時,就儀表板系統(tǒng)而言(如儀器簇),
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IC layout布局經(jīng)驗總結(jié)

  • 布局前的準備: 1 查看捕捉點設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025.2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查.3 布局前考慮好出PIN的方向和位置4 布局前分析電路,完成同一功能的MOS管畫在一起5 對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個圖中柵的走向盡量一致,不要有橫有豎。6 對pin分類,vdd,vddx注意不要混淆,不同電位(襯底接不同電壓)的n井分開.混合信號的電路尤其注意這點.7 在正確的路徑下(一般是進到~/opus)打開icfb.8 更改cell
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