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英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

  • 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應用。?在分立式封裝
  • 關鍵字： 英飛凌  650V  IGBT  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應用于工業(yè)馬達控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側提供 5
  • 關鍵字： NCD57000  驅(qū)動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制  

具有反向阻斷功能的新型 IGBT

  • 新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。簡介：應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關的典型電路可分為：傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
  • 關鍵字： IGBT  

IGBT驅(qū)動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？

  • 俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。然而有保護功能的驅(qū)動芯片，大部分的參數(shù)都是固定的，或者是只能靠外圍器件進行粗放的調(diào)節(jié)。對于退飽和保護來說，內(nèi)部電流源的電流是固定的，短路消隱時間只能靠調(diào)節(jié)外接電容大小來調(diào)整。對于兩電平關斷功能來說，兩電平持續(xù)的時間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來實現(xiàn)。而軟關斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來說也是固定的，無
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

  • 【2023年8月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅(qū)動和不間斷電源（UPS）的需求而開發(fā)。
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項

  • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅(qū)動器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅(qū)動
  • 關鍵字： IGBT  柵極  驅(qū)動  

英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅(qū)動。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過
  • 關鍵字： 英飛凌  賽米控  電動汽車芯片  SiC  IGBT  

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下

  • IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關特性及其它參數(shù)。4.動態(tài)特性●   輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設計驅(qū)動的一個關鍵參數(shù)。它在每個開關周期進行充電和放電，它定
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

  • 最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現(xiàn)之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡而言之，IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  

國產(chǎn)IGBT，迎來大豐收

  • 根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同，IGBT 可以分為低壓（600V 以下）、中壓（600V－1200V）、高壓（1700V－6500V）。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域；中壓 IGBT 常用
  • 關鍵字： IGBT   

Nexperia推出新款600V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

  • 為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩(wěn)健型175℃標準IGBT。
  • 關鍵字： IGBT  電源  NXP  

深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項

  • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  柵極驅(qū)動  

了解這些 就可以搞懂 IGBT

  • 絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個引腳。柵極與MOSF
  • 關鍵字： DigiKey  IGBT  

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用

  • 英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。產(chǎn)品特點●  按照應用需求去定義產(chǎn)品，去掉短路能力從而獲得更低的開關損耗和導通損耗，如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應用?！?nbsp; 1200V
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮

  • 針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅(qū)動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅(qū)動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達驅(qū)動應用，廣為人知且被廣泛使用的開關組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數(shù)馬達在較低頻率運作，要求可靠的安全工作區(qū)（SOA）和短路額定值，且需要將效率
  • 關鍵字： Bourns  電動馬達  IGBT  
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igbt fs7介紹

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