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能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
- 隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求,高效率,高可靠性成為功率電子產業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia(安世半導體)的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力,實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點,被廣泛應用于馬達驅動,光伏,UPS,儲能,汽車 等領域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢,廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器,看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
- 關鍵字: Nexperia IGBT
SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事,即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓
- 關鍵字: SiC MOSFET IGBT WBG
具有反向阻斷功能的新型 IGBT
- 新型 IGBT 已開發(fā)出來,具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能,例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為,并通過典型電路中的個樣本進行了測量。新型 IGBT 已開發(fā)出來,具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能,例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為,并通過典型電路中的個樣本進行了測量。簡介:應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關的典型電路可分為:傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
- 關鍵字: IGBT
英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示,與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊,而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據(jù)協(xié)議,賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據(jù)供應鏈消息顯示,目前IGBT缺貨基本在39周以上,供需缺口已經拉長到50%以上,市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌,其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過
- 關鍵字: 英飛凌 賽米控 電動汽車芯片 SiC IGBT
IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下
- IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中,我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關特性及其它參數(shù)。4.動態(tài)特性● 輸入電容,輸出電容和反向傳輸電容Cies,Coes和Cres輸入電容Cies,是Cres同CGE之和,是設計驅動的一個關鍵參數(shù)。它在每個開關周期進行充電和放電,它定
- 關鍵字: 英飛凌 IGBT
國產IGBT,迎來大豐收
- 根據(jù) IGBT 的產品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器;IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產品;而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同,IGBT 可以分為低壓(600V 以下)、中壓(600V-1200V)、高壓(1700V-6500V)。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域;中壓 IGBT 常用
- 關鍵字: IGBT
igbt fs7介紹
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