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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt fs7

能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

  • 隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求,高效率,高可靠性成為功率電子產業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia(安世半導體)的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力,實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點,被廣泛應用于馬達驅動,光伏,UPS,儲能,汽車 等領域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢,廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器,看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
  • 關鍵字: Nexperia  IGBT  

SiC MOSFET 器件特性知多少?

  • 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事,即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

充分利用IGBT的關鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們

  • 如今,碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前,絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發(fā)揮所長,然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機許多現(xiàn)代化焊接機使用逆變器,而非焊接變壓器,因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優(yōu)勢還包括直流電流比交流電流更安全,并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度,因此重量更輕。圖 1:焊接機框圖焊接逆變器常用的開關拓撲結構包括全橋、半橋和雙管正激,而恒定電流是最常用的控制方
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  

英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

  • 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品,進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管,先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術,具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導體器件適合用于各種應用,如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、電動汽車充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應用。?在分立式封裝
  • 關鍵字: 英飛凌  650V  IGBT  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用于工業(yè)馬達控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器,專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側提供 5
  • 關鍵字: NCD57000  驅動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制  

具有反向阻斷功能的新型 IGBT

  • 新型 IGBT 已開發(fā)出來,具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能,例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為,并通過典型電路中的個樣本進行了測量。新型 IGBT 已開發(fā)出來,具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能,例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為,并通過典型電路中的個樣本進行了測量。簡介:應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關的典型電路可分為:傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
  • 關鍵字: IGBT  

IGBT驅動芯片進入可編程時代,英飛凌新品X3有何玄機?

  • 俗話說,好馬配好鞍,好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率,最好還要有完善的保護功能,例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等,為IGBT的安全運行保駕護航。然而有保護功能的驅動芯片,大部分的參數(shù)都是固定的,或者是只能靠外圍器件進行粗放的調節(jié)。對于退飽和保護來說,內部電流源的電流是固定的,短路消隱時間只能靠調節(jié)外接電容大小來調整。對于兩電平關斷功能來說,兩電平持續(xù)的時間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來實現(xiàn)。而軟關斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來說也是固定的,無
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7產品組合,推出全新電流額定值模塊

  • 【2023年8月4日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ,擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候,不僅提供最大的靈活性,還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動和不間斷電源(UPS)的需求而開發(fā)。
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

  • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動
  • 關鍵字: IGBT  柵極  驅動  

英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示,與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊,而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據(jù)協(xié)議,賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據(jù)供應鏈消息顯示,目前IGBT缺貨基本在39周以上,供需缺口已經拉長到50%以上,市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌,其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過
  • 關鍵字: 英飛凌  賽米控  電動汽車芯片  SiC  IGBT  

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下

  • IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中,我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關特性及其它參數(shù)。4.動態(tài)特性●   輸入電容,輸出電容和反向傳輸電容Cies,Coes和Cres輸入電容Cies,是Cres同CGE之和,是設計驅動的一個關鍵參數(shù)。它在每個開關周期進行充電和放電,它定
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

IGBT如何選擇,你真的了解嗎?

  • 最近,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多,受到廣泛關注。然而,在這些新技術出現(xiàn)之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中,我們介紹 IGBT 器件的結構和運行,并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構,然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡而言之,IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管,通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  

國產IGBT,迎來大豐收

  • 根據(jù) IGBT 的產品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器;IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產品;而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同,IGBT 可以分為低壓(600V 以下)、中壓(600V-1200V)、高壓(1700V-6500V)。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域;中壓 IGBT 常用
  • 關鍵字: IGBT   

Nexperia推出新款600V單管IGBT,可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

  • 為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩(wěn)健型175℃標準IGBT。
  • 關鍵字: IGBT  電源  NXP  

深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

  • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時,會存在一個從雙
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  柵極驅動  
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igbt fs7介紹

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