igbt fs7 文章進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
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ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著節(jié)能意識(shí)的提高，在交流400V級(jí)工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計(jì)周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
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在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

摘要隨著汽車電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢(shì)，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對(duì)蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT

2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹立了國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)中高端IGBT芯片標(biāo)桿。歷時(shí)兩年積累沉淀，比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國(guó)“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購(gòu)了寧波中緯。中緯賬面上最有價(jià)值的東西是源自臺(tái)積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購(gòu)給還給比亞迪帶來(lái)了晶圓車間、技術(shù)團(tuán)隊(duì)等資源。當(dāng)時(shí)長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時(shí)這些資
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為何智能功率模塊會(huì)盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

1? ?低碳時(shí)代驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前，世界各國(guó)以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國(guó)也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo)，這對(duì)電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會(huì)增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升，因此，近年來(lái)IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢(shì)是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場(chǎng)為例，全球空調(diào)市場(chǎng)的出貨量這兩年約1.5億臺(tái)
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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計(jì)

電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(chǎng)(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來(lái)越多客戶的需求。本文設(shè)計(jì)了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺(tái)。搭載了英飛凌自帶保護(hù)IPD Protect，XMC單片機(jī)和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓?fù)洳捎脝味瞬⒙?lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實(shí)現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護(hù)，過壓保護(hù)，過溫報(bào)警和保護(hù)，輸入電壓欠壓保護(hù)和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護(hù)點(diǎn)可以根據(jù)系統(tǒng)要求來(lái)調(diào)節(jié)。同時(shí)，
關(guān)鍵字：感應(yīng)加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102

電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預(yù)測(cè)，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。增長(zhǎng)的市場(chǎng)空間被行業(yè)專家拆解成兩個(gè)方面：折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。既然新增市場(chǎng)源于電氣化程度的加深，那
關(guān)鍵字： IT6862A IT6015D-80-450 電動(dòng)車用大功率 IGBT 模塊測(cè)試

科索為中型機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

科索有限責(zé)任公司近日宣布擴(kuò)大其為中型機(jī)器人和工廠自動(dòng)化設(shè)計(jì)的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化定制?；谝粋€(gè)獨(dú)特的概念，科索RBC300F系列提供三個(gè)可配置隔離輸出，其中一個(gè)具有增強(qiáng)隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時(shí)，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡(jiǎn)化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計(jì)過程，同時(shí)降低了成本。RBC3
關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對(duì)流冷卻設(shè)計(jì)

推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

隨著電動(dòng)汽車（EV）數(shù)量的增加，對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng)，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比，新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)，快速DC充電站可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
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一種電動(dòng)汽車能量回饋下IGBT保護(hù)策略優(yōu)化及驗(yàn)證

　　舒暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽蕪湖 241002）　　摘要：針對(duì)電動(dòng)汽車在能量回饋時(shí)，動(dòng)力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護(hù)策略優(yōu)化方案，快速檢測(cè)因動(dòng)力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制保護(hù)IGBT模塊。本文通過臺(tái)架實(shí)驗(yàn)對(duì)比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實(shí)車驗(yàn)證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測(cè)到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險(xiǎn)?！　￡P(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車
關(guān)鍵字： 202007 電動(dòng)汽車能量回饋 IGBT