比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT
2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片,樹(shù)立了國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)中高端IGBT芯片標(biāo)桿。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202105/425525.htm歷時(shí)兩年積累沉淀,比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè),隨著西安研發(fā)中心大樓的落成,也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國(guó)“西部硅谷”。
2008年比亞迪1.7億元收購(gòu)了寧波中緯。中緯賬面上最有價(jià)值的東西是源自臺(tái)積電淘汰的一條8英寸晶圓線,但這筆收購(gòu)給還給比亞迪帶來(lái)了晶圓車(chē)間、技術(shù)團(tuán)隊(duì)等資源。當(dāng)時(shí)長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時(shí)這些資源在中國(guó)大陸是非常稀缺的。
但這并不是比亞迪第一次進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè),早在2002年比亞迪微電子就開(kāi)始從事集成電路設(shè)計(jì),已經(jīng)開(kāi)發(fā)出涵蓋電源管理芯片、CMOS圖像傳感器、液晶驅(qū)動(dòng)和觸摸控制芯片等諸多產(chǎn)品。
2018年,IGBT4.0芯片,更大的電流通過(guò)能力、更低的能耗、更長(zhǎng)的高溫壽命,這些是當(dāng)年全新一代唐能做到百公里加速時(shí)間4.5S,百公里電耗僅17.9kwh的保障。
2019年,得益于更低能耗,更高熱導(dǎo)率的SiC芯片的裝車(chē),比亞迪漢的峰值扭矩達(dá)到了350N.M,峰值功率達(dá)到200KW,成就了漢的出色的產(chǎn)品力。
這次即將發(fā)布的IGBT6.0,將有比同類產(chǎn)品更高的可靠性,和產(chǎn)品性能上的重大突破。即將在創(chuàng)業(yè)板的上市,也將助力比亞迪半導(dǎo)體的飛速發(fā)展。
評(píng)論