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　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)。　　為滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國(guó)外公司的市場(chǎng)壟斷，推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國(guó)南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。　　位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬(wàn)平方米，部分凈化級(jí)別達(dá)到了100級(jí)，由于產(chǎn)品對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管

中國(guó)最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

　　中國(guó)最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長(zhǎng)期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場(chǎng)一直被國(guó)外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。　　大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長(zhǎng)期以來，國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價(jià)格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶閘管 IGBT

基于雙IGBT的斬波式串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)的研究

從普通串級(jí)調(diào)速原理入手，簡(jiǎn)要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
關(guān)鍵字： IGBT 斬波串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)

英飛凌再度稱雄功率電子市場(chǎng)

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場(chǎng)增長(zhǎng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(zhǎng)率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場(chǎng)上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場(chǎng)份額。　　隨著汽車、消費(fèi)和工
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT MOSFET

IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

關(guān)鍵字：絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用保護(hù)

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

　　經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。　　剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國(guó)際一流技術(shù);二是擁有
關(guān)鍵字：變頻開關(guān) IGBT

IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT綜述
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
關(guān)鍵字： IGBT 600 系統(tǒng) 逆變器

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
關(guān)鍵字：電路研究保護(hù) 驅(qū)動(dòng) EXB841 IGBT 基于電源

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
關(guān)鍵字： IGBT 性能

大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

摘要：本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。敘詞：IGB
關(guān)鍵字：技術(shù) 保護(hù) IGBT 逆變電源大功率電源

IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算

摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。敘詞：IGBT，驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：計(jì)算性能輸出驅(qū)動(dòng)器 IGBT

英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

　　新聞事件：　　韓國(guó)LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響：　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊　　韓國(guó)LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。　　合
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI

功率半導(dǎo)體：節(jié)能應(yīng)用顯身手中國(guó)市場(chǎng)現(xiàn)商機(jī)

　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會(huì)在上海光大會(huì)展中心落下帷幕。在展會(huì)期間，國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時(shí)，參展企業(yè)也紛紛表示對(duì)中國(guó)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景充滿信心。　　新產(chǎn)品亮相PCIM展　　一年一度的PCIM展是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的盛會(huì)，同時(shí)也是業(yè)內(nèi)企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺(tái)。在今年的展會(huì)上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中，通常要在I
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT DIPIPM

混合動(dòng)力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國(guó)際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國(guó)對(duì)于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
關(guān)鍵字：新能源 IGBT F-RAM 混合動(dòng)力