首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> intel foundry

Intel P55芯片組將啟用B3步進工藝

  • 　　按Intel的計劃，LGA1156插槽處理器配套的旗艦芯片組P55將開始啟用最新的B3步進版本(目前市售的P55芯片組為B2步進版本)。新的B3步進P55芯片組將在以下幾個方面有所變化： 　　* 芯片組產(chǎn)品的S-spec代碼以及產(chǎn)品MM代碼方面將有所變更; 　　* 主板BIOS需要進行更新，并需要對處理器微代碼部分進行更新，以便支持未來推出的處理器 　　* 建議B3版的用戶將芯片組存儲功能驅(qū)動由原來的MSM8.9版本升級到RST9.5版本。 　　B3步進P55芯片組將與現(xiàn)有的B2步進產(chǎn)品保
  • 關(guān)鍵字： Intel  芯片組  P55  

Intel芯片組2011年前不會加入USB3.0功能

  • 　　據(jù)從Nvidia處得到的確切消息，Intel公司已確定不會在2011年之前將USB3.0功能加入其芯片組中。這樣，那些需要在主板上加入USB3.0功能的廠商必須使用第三方芯片，USB3.0短期內(nèi)恐無法普及。 　　Nvidia的發(fā)言人Brian Burke為此表達了對Intel的失望之情，并趁機鼓吹稱Nvidia自家的芯片組一直在采用新技術(shù)方面做得比Intel好，同時他還不忘添油加醋鼓吹了一下自家的Ion平臺。 　　Nvidia與Intel之間在芯片組授權(quán)方面存在嚴(yán)重的分歧和爭端，不過也有人認(rèn)為這種
  • 關(guān)鍵字： Intel  USB3.0  

Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關(guān)鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  

固態(tài)硬盤永遠(yuǎn)無法徹底取代機械硬盤？

  • 　　固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風(fēng)生水起，但受限于各種因素，短期內(nèi)還無法取代機械硬盤，而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾
  • 關(guān)鍵字： Intel  存儲芯片  PCRAM  

北京微電子國際研討會再燃摩爾定律之爭

  • 　　在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇之際，北京微電子國際研討會于10月27日成功召開，摩爾定律這一引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“圣經(jīng)”再次成為了主題演講會場爭論的焦點。 　　摩爾定律減速之爭 　　Intel中國研究院院長方之熙認(rèn)為，摩爾定律還將延續(xù)，技術(shù)的發(fā)展不會止步。目前Intel已開始15nm技術(shù)的研發(fā)，2011年將開始10nm技術(shù)的研發(fā)。追溯Intel的歷史，每兩年一代的新技術(shù)推出從未延遲，例如2005年的65nm技術(shù)，2007年的45nm技術(shù)及2009年的32nm技術(shù)都為業(yè)界帶來的全新的產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： Intel  摩爾定律  45nm  

缺乏Intel芯片組支持，USB3.0短期內(nèi)難成主流

  • 　　最近USB3.0標(biāo)準(zhǔn)及其相關(guān)設(shè)備的消息接連不斷傳來，不少主板公司也已經(jīng)或正在計劃推出支持USB3.0的主板，看起來USB3.0似乎已成“山雨欲來 風(fēng)滿樓”之勢。不過列位看官可別太早下結(jié)論，因為業(yè)界老大Intel似乎還沒有近期推出支持USB3.0的計劃，據(jù)報道，Intel的芯片組產(chǎn)品要到2011年期間才會考慮加入USB3.0支持功能，這便意味著主板廠商要讓自己的產(chǎn)品支持USB3.0，就必須花錢購買第三方硬件廠商的 USB3.0芯片。 　　如此一來，普通的主流/入門級主板出于成本
  • 關(guān)鍵字： Intel  USB3.0  

英特爾：Moblin無意與微軟競爭，雙方是互補關(guān)系

  • 　　英特爾表示，微軟一直都是英特爾的重要合作伙伴。Moblin并不是為了和微軟競爭，雙方是互補的關(guān)系，以滿足客戶的差異化和定制化需求。 　　今日，英特爾在舉辦了“Moblin Is Open”(開放的Moblin 平臺)為主題的“2009英特爾Moblin軟件平臺技術(shù)研討會”。 　　會上，英特爾攜手Moblin合作伙伴共同展示了基于英特爾凌動處理器和Moblin軟件平臺開發(fā)針對MID、上網(wǎng)本、車載和嵌入式平臺應(yīng)用的巨大競爭優(yōu)勢和和最新成果。 　　Mob
  • 關(guān)鍵字： Intel  Moblin  微軟  

壯大Moblin 生態(tài)系統(tǒng)，助推移動互聯(lián)應(yīng)用創(chuàng)新

  • 　　今天，以“Moblin™ Is Open”(開放的Moblin平臺)為主題的“2009英特爾Moblin軟件平臺技術(shù)研討會”在北京召開，英特爾公司攜手Moblin合作伙伴共同展示了基于英特爾®凌動™處理器和Moblin 軟件平臺開發(fā)針對MID、上網(wǎng)本、車載和嵌入式平臺應(yīng)用的巨大競爭優(yōu)勢和最新成果。本次技術(shù)研討會旨在激發(fā)獨立軟件供應(yīng)商和開發(fā)人員開發(fā)移動應(yīng)用程序的熱情，為消費者帶來更多創(chuàng)新應(yīng)用軟件，助推移動互聯(lián)時代的發(fā)展和應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： Intel  Moblin  凌動  

英特爾全球首個并行計算中心落戶無錫

  • 　　今天，江蘇省無錫市和英特爾公司舉行合作備忘錄簽約儀式，共同宣布在無錫市濱湖區(qū)成立“英特爾中國并行計算中心”(Intel China Center of Parallel Computing, ICCPC)，旨在立足無錫、輻射全國，建立世界級技術(shù)中心推動并行計算研究與創(chuàng)新，幫助中國IT產(chǎn)業(yè)抓住多核時代創(chuàng)新機遇，努力成為并行計算領(lǐng)域的領(lǐng)先者。中共江蘇省委常委、無錫市委書記楊衛(wèi)澤先生，江蘇省人民政府副省長張衛(wèi)國先生，英特爾公司全球副總裁兼首席技術(shù)官賈斯汀(Justin Rattner
  • 關(guān)鍵字： Intel  Larrabee  眾核處理器  

英特爾中國研究院站在下一個十年的起點

  • 　　國慶前兩周，美國《福布斯》雜志發(fā)表了一篇題為《中國的技術(shù)革命》的文章，認(rèn)為中國是“世界歷史上最大規(guī)模技術(shù)變革的中心”，“歡迎來到世界下一個技術(shù)王朝”。幾乎與此同時，科技部也透露：我國已經(jīng)成為科學(xué)技術(shù)體系較為完備、科技人力資源世界第一、科技成果不斷涌現(xiàn)的科學(xué)技術(shù)大國，將能夠?qū)崿F(xiàn)到2020年進入“創(chuàng)新型國家”行列的目標(biāo)。 　　國慶長假剛過，英特爾公司全球副總裁、首席技術(shù)官、高級院士兼英特爾研究院總監(jiān)賈斯汀(Justin Rattne
  • 關(guān)鍵字： Intel  CPU  無線顯示  

DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力

  • 　　歷史發(fā)展 　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術(shù)的前進，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。 　　眾所周知，進入上世紀(jì)80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
  • 關(guān)鍵字： Intel  DRAM  VLSI  LSI  200910  

Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?

  • 　　在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預(yù)計Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會在2013年左右。
  • 關(guān)鍵字： Intel  15nm  22nm  制程技術(shù)  

IDF:Intel發(fā)力智能電網(wǎng) 關(guān)注未來能源技術(shù)

  • 　　2009年9月24日，英特爾信息技術(shù)峰會，美國舊金山——2009英特爾信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。英特爾研究院(Intel Labs)舉行媒體發(fā)布會，介紹了正在進行的研究工作，探討了它對未來能源技術(shù)的看法。 　　錢安達(Andrew Chien)：“智能電網(wǎng)” 　　英特爾研究院副總裁兼未來技術(shù)研究總監(jiān) 　　錢安達介紹了英特爾研究院的一項全新研究工作，那就是為未來的家庭、建筑物和機動車創(chuàng)建可自我持續(xù)、易于使用、經(jīng)濟實用并且十分安
  • 關(guān)鍵字： Intel  智能電網(wǎng)  

英特爾光纖接口Light Peak 創(chuàng)意來自蘋果

  • 　　本次IDF上，Intel宣布了名為“LightPeak”的光纖接口技術(shù)?；蛟S讀者們還記得，我們在Intel的展示中就注意到了，樣機居然使用的是MacOSX操作系統(tǒng)。而從日前曝光的幕后消息來看，蘋果確實和這項技術(shù)有著千絲萬縷的聯(lián)系。據(jù)消息人士爆料稱，蘋果不僅一直在參與LightPeak技術(shù)的研發(fā)，甚至這一技術(shù)的最初創(chuàng)意就是由蘋果提出交給Intel實施開發(fā)的。蘋果早已將LightPeak視作是未來產(chǎn)品中的一項關(guān)鍵接口技術(shù)。 　　據(jù)稱，蘋果早在2007年就找到Intel，提議開發(fā)一
  • 關(guān)鍵字： Intel  LightPeak  光纖接口  
共1507條 75/101 |‹ « 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 » ›|

intel foundry介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條intel foundry!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對intel foundry的理解，并與今后在此搜索intel foundry的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473