首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> jfet-mosfet

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應用

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成
  • 關鍵字： Fairchild   MOSFET  

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。 　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET   

一種軟啟動與防反接保護電路

  • 　　摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 　　軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
  • 關鍵字： 保護電路  軟啟動  繼電器  MOSFET  反接電路  二極管  201503  

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設計

  • 　　摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 　　引言 　　由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
  • 關鍵字： LED  驅(qū)動電源  PFC  LLC  PWM  MOSFET  201503  

意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應用帶來寬帶隙技術優(yōu)勢

  • 　　意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應用帶來技術優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設備。 　　意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
  • 關鍵字： 意法半導體  SCT20N120  MOSFET  

LED驅(qū)動設計的5大關鍵

  • 　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設計的心得。 　　一、不要使用雙極型功率器件 　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
  • 關鍵字： LED  MOSFET  

Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產(chǎn)品。 　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

  • 　　我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。 　　熱插拔電路使用一個功率
  • 關鍵字： MOSFET  熱插拔控制器  

德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
  • 關鍵字： 德州儀器  MOSFET  CSD16570Q5B  

場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

  • 一、場效應管的工作原理- -概念 　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
  • 關鍵字： 場效應管  MOS  JFET  場效應管工作原理  

Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關時間，有助于盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。 　　新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流
  • 關鍵字： Diodes  驅(qū)動器  MOSFET  

Exar推出通用PMIC輸入電壓高達40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

  • 　　領先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實時監(jiān)測電源狀態(tài)，動態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時序控制，以加速電源系統(tǒng)設計。 　　XRP77129使用Exar設計工具P
  • 關鍵字： MOSFET  SMBus  LDO  

LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起

  • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 　　   　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
  • 關鍵字： LED  SiC  MOSFET  

封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？

  • 　　I.引言 　　高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發(fā)開關瞬態(tài)過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態(tài)過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
  • 關鍵字： 寄生電感  MOSFET  
共1278條 38/86 |‹ « 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 » ›|

jfet-mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條jfet-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

JFET-MOSFET    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473