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芯片設(shè)計(jì)中，DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜

  • 選擇越多，選擇越難。
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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通脹沖擊消費(fèi)電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計(jì)囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達(dá)78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
  • 關(guān)鍵字： CHIPS法案  韓國半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

  • IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？

  • 消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化，而且經(jīng)常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個(gè) DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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美光訂價(jià)能力升 營運(yùn)露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對DRAM的訂價(jià)能力提升，市場高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營運(yùn)有望改善，帶動股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

存儲廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場何時(shí)迎來供需平衡？

  • 受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過，由于市場需求持續(xù)衰弱，2023年存儲市況仍未復(fù)蘇，價(jià)格不斷下跌，廠商業(yè)績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調(diào)整，以應(yīng)對市場疲軟，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場
  • 關(guān)鍵字： 存儲廠商  DRAM  TrendForce  

3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  
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