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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
  • 關鍵字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

美光科技：全系列車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案已通過高通驍龍驗證

  • 4月22日，美光科技宣布，全系列車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案已通過高通技術公司 Snapdragon? Digital Chassis? 平臺的驗證。美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存、通用閃存 UFS 3.1、Xccela? 閃存和四線串行外設接口 NOR 閃存已預先集成至包括Snapdragon? Cockpit 平臺、Snapdragon Ride? 平臺和 Snapdragon Ride? Flex 系統(tǒng)級芯片（SoC）在內(nèi)的新一代驍龍汽車解決方案和模塊中，致力于滿足當前和未來日益增長的 AI 工作負載
  • 關鍵字： 美光  高通  LPDDR5X  

SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產(chǎn)。隨著設備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
  • 關鍵字： SK海力士  AI  DRAM  

存儲大廠技術之爭愈演愈烈

  • AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  

美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應造成中等個位數(shù)百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
  • 關鍵字： DRAM  閃存  美光  

3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

  • 在 AI 服務器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
  • 關鍵字： 3D DRAM  

加注西安工廠 美光期待引領創(chuàng)芯長安

  • 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設工程。據(jù)悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動DRAM、N
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
  • 關鍵字： 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

  • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  MUF技術  

美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗

  • 2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預測性和
  • 關鍵字： 美光  內(nèi)存  存儲  榮耀  Magic6 Pro  智能手機  LPDDR5X  UFS 4.0  

三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
  • 關鍵字： 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲  

美光內(nèi)存與存儲是實現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

  • 據(jù) IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關鍵要素數(shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術從精確傳感到實時計算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進一步推動了設備和運營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實現(xiàn)擴大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實現(xiàn)出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內(nèi)存與存儲對于實現(xiàn)數(shù)字孿
  • 關鍵字： 數(shù)字孿生  DRAM  機器學習  

三星新設內(nèi)存研發(fā)機構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術優(yōu)勢

  • 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設了一個新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構(gòu)將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發(fā)機構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  DRAM  芯片  美光  
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lpddr5x dram介紹

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