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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊,變革PC用戶體驗(yàn)
- 2024 年 1 月 18 日,中國(guó)上海 —— Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),提供從 16GB 至 64GB 的容量選項(xiàng),為 PC 提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。LPCAMM2 內(nèi)存模塊現(xiàn)已出樣,并計(jì)劃于 2024 年上半年量產(chǎn),這是自 1997 年業(yè)界采用小型雙列直插式內(nèi)存模塊(SODIMM)以來(lái),客戶
- 關(guān)鍵字: 美光 LPDDR5X 內(nèi)存模塊 LPCAMM2
存儲(chǔ)器廠憂DRAM漲勢(shì)受阻
- 韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士透露,因市況好轉(zhuǎn),考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM,市場(chǎng)擔(dān)心稼動(dòng)率回升,破壞以往存儲(chǔ)器大廠減產(chǎn)提價(jià)共識(shí),恐不利后續(xù)DRAM漲勢(shì)。觀察16日存儲(chǔ)器族群股價(jià),包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等,股價(jià)跌幅逾2%,表現(xiàn)較大盤弱勢(shì)。惟業(yè)界人士認(rèn)為,包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能,多往1-alpha/beta先進(jìn)制程升級(jí),以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)需求,預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢(shì)。SK海力士執(zhí)行長(zhǎng)郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費(fèi)性電子
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM TrendForce
漲勢(shì)延續(xù),預(yù)估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%
- TrendForce集邦咨詢表示,2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%,其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要,以維持存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面,由于DDR5訂單需求尚未被滿足,同時(shí)買方預(yù)期DDR4價(jià)格會(huì)持續(xù)上漲,帶動(dòng)買方拉貨動(dòng)能延續(xù),然受到機(jī)種逐漸升級(jí)至DDR5影響,對(duì)DDR4的位元采購(gòu)量不一定會(huì)擴(kuò)大。不過(guò),由于DDR4及DDR5的售價(jià)均尚未達(dá)到原廠目標(biāo),加上買方仍可接受第一季續(xù)漲,故預(yù)估整體PC
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)廠商 DRAM TrendForce
SSD九個(gè)季度以來(lái)首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價(jià):漲幅55%只是開始
- 1月1日消息,據(jù)供應(yīng)鏈最新消息稱,SSD產(chǎn)品九個(gè)季度以來(lái)首次上漲,而廠商擬2024年1-3月后持續(xù)要求漲價(jià)。數(shù)據(jù)顯示,2023年10-12月期間SSD代表性產(chǎn)品TLC 256GB批發(fā)價(jià)為每臺(tái)25.5美元左右、容量較大的512GB價(jià)格為每臺(tái)48.5美元,皆較前一季度(2023年7-9月)上漲9%,也都是九個(gè)季度以來(lái)(2021年7-9月以來(lái))首度上漲。自2023下半年以來(lái),存儲(chǔ)芯片價(jià)格一直在上漲。雖然DRAM價(jià)格上漲較為溫和,約20%,但NAND閃存價(jià)格在過(guò)去兩個(gè)月飆升了60%-70%。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendFo
- 關(guān)鍵字: SSD 漲價(jià) DRAM
全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)
- 12月22日消息,據(jù)報(bào)道,Adroit Market Research預(yù)計(jì),全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng),到2032年將達(dá)到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示,半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下,到2028年,該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
- 關(guān)鍵字: 汽車電子 半導(dǎo)體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確,帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求,以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫(kù)存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
DRAM掀起新一輪熱潮,封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器,無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA,還是 NPU,要想正常運(yùn)行,都離不開 RAM,特別是 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)(PC,手機(jī),數(shù)據(jù)中心等)中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同,系統(tǒng)對(duì)芯片面積和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)、LPDDR、GDDR 等,當(dāng)然,主要就是這三類。其中,DDR 是相對(duì)于 SDR(單數(shù)據(jù)速率)而言的,將 I/O 時(shí)鐘加倍了,主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù),目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
- 關(guān)鍵字: DRAM 封裝技術(shù) HBM
DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程
- 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
- 關(guān)鍵字: DRAM
集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營(yíng)收 134.8 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動(dòng)能,讓各原廠營(yíng)收皆有所增長(zhǎng)。展望今年第 4 季度,供給方面,原廠漲價(jià)態(tài)度明確,預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%;需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季,整體而言,DRAM 行業(yè)出貨增長(zhǎng)幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌,三大原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存
消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息,上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下,SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%,是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來(lái)看,DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士,也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示,SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%;三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元,連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)
- 11 月 30 日消息,據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年開始,受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響,全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑,三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下,DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升,銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示,在今年三季度,全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%,在一季度的 93.7 億美元之后,已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng),也就意味著主要廠商的銷售額,環(huán)
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存 三星 海力士
AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達(dá)到有史以來(lái)最高水平
- 據(jù)外媒報(bào)道,在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火,谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后,外媒就預(yù)計(jì)對(duì)AI服務(wù)器的需求將大幅增加,高性能GPU、高帶寬存儲(chǔ)器的需求也將隨之增加,半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商,將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示,存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益,他們?nèi)径仍谌駾RAM市場(chǎng)的份額達(dá)到了35%,占據(jù)了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái),在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
- 關(guān)鍵字: AI SK海力士 DRAM
存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻:DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息,由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估,2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%,上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM:根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道,2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
- 關(guān)鍵字: 閃存 DRAM NAND
美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存
- Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存,具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能,可支持當(dāng)前及未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用,例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)?(IMDB)?以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景,滿足它們對(duì)
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM 128GB RDIMM內(nèi)存
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