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Vishay推出新款Power Metal Strip電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip 電阻--- WSLP2726和WSLP4026，該電阻兼具5W～7W的高功率等級和0.5mΩ的極低阻值。器件采用4接頭設(shè)計，可實現(xiàn)1.0%的穩(wěn)定電阻容差。
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Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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傳三星正積極研究Gate-last工藝

  • 　　據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉(zhuǎn)向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉(zhuǎn)向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
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臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

  • 　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術(shù)研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實現(xiàn)計劃。 　　Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
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Vishay推出Bulk Metal箔電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(nèi)(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm

  • 　　新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉(zhuǎn)入28nm。 　　特許半導體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 　　特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 　　特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
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臺積電28納米明年1Q試產(chǎn)　迎擊IBM陣營

  • 　　臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。 　　臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖，預計2010年第3季進行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產(chǎn)
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面向未來汽車應用的高可靠性創(chuàng)新半導體方案綜述

Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻

  • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構(gòu)將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
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Vishay推出新型VSM系列 Bulk Metal®電阻

  • Vishay 的新型 VSM Bulk Metal® 箔超高精度包裹式表面貼裝 芯片電阻率先將 2ppm/C 的低 TCR、0.01% 的負載壽命穩(wěn)定性 及 0.01% 的容差等特性集于一身 新型器件采用小型封裝而為需要高精度、穩(wěn)定性及可靠性的應用 提供了 400mW 的功率 日前，Vishay 
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