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使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字： FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

保護(hù)汽車(chē)?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

V-MOS管測(cè)試

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)  

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

  • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲骸⑸龎?、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關(guān)鍵字： 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
  • 關(guān)鍵字： 光耦  可調(diào)  死區(qū)時(shí)間  MOS  

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

舞臺(tái)功放MOS管改裝方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題，通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  
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