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原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價

相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內(nèi)得不到解決，有業(yè)內(nèi)人士認為下半年該產(chǎn)品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導致產(chǎn)能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產(chǎn)品的價格上調(diào)了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內(nèi)訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調(diào)MOSFET價格。相比去年，
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使用IC采樣保持放大器

采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉換所需的時間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉換器就是
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大聯(lián)大品佳集團推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案

大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統(tǒng)對于電源設計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構設計來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術IC
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硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？意法半導體超結MDmesh案例研究

前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯(lián)系?？傊?，沒有半導體的技術進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年?，F(xiàn)在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。同時，我們
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貿(mào)澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動汽車電子進一步發(fā)展），探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統(tǒng)等各種汽車應用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿(mào)澤和Vishay的行業(yè)專家就現(xiàn)代汽車設計中一些富有創(chuàng)新性的技術提出了深入的見解，這些技術包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設計的光
關鍵字： MOSFET

儲能領域蘊藏節(jié)能機會 ADI積極推動節(jié)能減排

ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監(jiān)測/ 風機振動監(jiān)測、輸電環(huán)節(jié)的導線舞動監(jiān)測/ 導線覆冰監(jiān)測/ 地質(zhì)災害監(jiān)測、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動監(jiān)測到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術市場?高級經(jīng)理王星煒1? ?儲能系統(tǒng)B
關鍵字： 202107 MOSFET 儲能

超結高壓MOSFET驅動電路及EMI設計

分析了超結結構功率MOSFET在開關過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產(chǎn)生更快開關速度的特性；給出了不同外部驅動參數(shù)對開關過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動電路開關波形及開關性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動電路的EMI測試結果。
關鍵字： 202106 超結驅動 EMI 非線性 MOSFET

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
關鍵字： MOSFET

Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET

基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
關鍵字： Nexperia MOSFET

安森美半導體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
關鍵字： MOSFET

功率器件的演變

隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)（HVAC）和工業(yè)驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎設施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
關鍵字： 202105 MOSFET

新一代AC/DC ZVS高功率密度USB PD 解決方案助力移動設備快速充電

針對智能手機和平板電腦等移動設備的快速充電是消費電子行業(yè)中增長最快和規(guī)模最大的市場之一，相應電源適配器每年全球使用量達數(shù)億件以上。其中涉及一系列新興技術和挑戰(zhàn)，包括USB PowerDelivery（PD）。本文將探討一些目前與快充相關的AC/DC功率轉換關鍵技術，重點討論對USB PD的支持、技術的發(fā)展，以及Dialog在這方面提供的最新產(chǎn)品和解決方案。
關鍵字： MOSFET 202105

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
關鍵字： MOSFET IGBT

東芝為電動助力轉向打造電機驅動系統(tǒng)核心

隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設計日趨復雜化，汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統(tǒng)故障而導致的不合理風險。由于電子控制器失效的可預見性非常低，為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障，汽車系統(tǒng)也能在短期（故障容錯時間內(nèi)）內(nèi)安全運行，需要進行功能安全防護。
關鍵字： 202106 MOSFET

碳化硅用于電機驅動

0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
關鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106

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　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]