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碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續(xù)模式
關鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET

ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
關鍵字： OBC SiC MOSFET

工業(yè)電機用功率半導體的動向

Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用（例如電動工具），
關鍵字： 202003 電機電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
關鍵字： SiC MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
關鍵字：儒卓力威世N-Channel MOSFET 封裝

安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內公認的低壓、低RDS(on)的領先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
關鍵字：安世半導體 MOSFET RDS(on)

Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節(jié)省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平。
關鍵字： SiR680ADP MOSFET Vishay

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
關鍵字： MOSFET N溝道

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
關鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件

功率MOSFET的參數(shù)那么多，實際應用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
關鍵字： MOSFET 功率MOSFET

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
關鍵字： SiC MOSFET 意法半導體

減慢開關轉換時要謹慎

開關調節(jié)器中的快速開關瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時，可以大幅提高開關調節(jié)器的效率。但是，快速開關轉換也會帶來一些負面影響。開關轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術，即使是極快的開關邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉換，在開關節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
關鍵字：開關 MOSFET

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
關鍵字： SiC MOSFET

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
關鍵字：碳化硅二極管 MOSFET

Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
關鍵字： MOSFET 汽車

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　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]