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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！　ishay
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導(dǎo)體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。這些機電系統(tǒng)
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
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意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓撲

　　意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計?！　♂槍涢_關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關(guān)頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)。　　此外，意法半導(dǎo)體最先進的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
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高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開關(guān)電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設(shè)計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設(shè)計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?！　√蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術(shù)帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應(yīng)用提供多
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宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應(yīng)求，為填補供應(yīng)鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導(dǎo)體驗證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產(chǎn)，在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
關(guān)鍵字： MOSFET 并聯(lián) 電流分配

應(yīng)用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設(shè)計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導(dǎo)體，另一個更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示。　　電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導(dǎo)
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開關(guān)電源設(shè)計：何時使用BJT而非MOSFET？

MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 BJT MOSFET

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器連續(xù)電流

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學(xué)習(xí)有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]