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計(jì)算MOSFET非線性電容

　　最初為高壓器件開(kāi)發(fā)的超級(jí)結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲(chǔ)存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計(jì)算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜。　　MOSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測(cè)量，其中有的需要在這個(gè)過(guò)程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊(cè)最終測(cè)量給出的三個(gè)值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
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電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

　　全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專(zhuān)家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場(chǎng)帶來(lái)創(chuàng)新設(shè)計(jì)

　　EPC公司的管理及技術(shù)團(tuán)隊(duì)將在中國(guó)深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì)上，與工程師會(huì)面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團(tuán)隊(duì)將分享如何發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計(jì)，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面。　　AirFuel無(wú)線充電大會(huì)暨開(kāi)發(fā)者論壇 2018 (中國(guó)深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無(wú)線充電大會(huì)暨開(kāi)發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙

　　當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來(lái)了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計(jì)人員選擇避免多級(jí)轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點(diǎn)電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì)進(jìn)一步提高。　　電源行業(yè)通過(guò)對(duì)niPOL進(jìn)行多項(xiàng)技術(shù)升級(jí)來(lái)應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。過(guò)去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇缺貨之勢(shì)持續(xù)蔓延

MOSFET缺貨潮來(lái)勢(shì)洶洶，看著突然實(shí)則必然，畢竟消費(fèi)電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車(chē)飛速發(fā)展已成必然之勢(shì)。
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一種具有后臺(tái)校正功能的電流舵DAC

　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來(lái)越小，電流源之間的匹配程度越來(lái)越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數(shù)模轉(zhuǎn)換器)分辨率的提高，?DAC對(duì)電流源誤差的要求越來(lái)越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在，DAC工作
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通過(guò)電源模塊提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能

　　電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長(zhǎng)。　　驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級(jí)的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長(zhǎng)的電池壽命并減少冷卻工作?？煽康牟僮骱捅Ｗo(hù)可延長(zhǎng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！　樵趦蓚€(gè)方向上驅(qū)動(dòng)BDC電機(jī)，您
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汽車(chē)電源的監(jiān)視和開(kāi)關(guān)

　　引言　　在如今的汽車(chē)中，為了提高舒適度和行車(chē)體驗(yàn)而設(shè)計(jì)了座椅加熱、空調(diào)、導(dǎo)航、信息娛樂(lè)、行車(chē)安全等系統(tǒng)，從這些系統(tǒng)很容易理解在車(chē)中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?，F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時(shí)，在汽油動(dòng)力汽車(chē)中，一個(gè)電子組件都沒(méi)有。在世紀(jì)交替時(shí)期的汽車(chē)開(kāi)始有了手搖曲柄，前燈開(kāi)始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車(chē)正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點(diǎn)，最大限度減少了機(jī)械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
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缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類(lèi)元器件
關(guān)鍵字： MOSFET DFN

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)

　　017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨蟆Ｋ腖LC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應(yīng)用。　　 &n
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類(lèi)元器件
關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓

功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來(lái)，隨著汽車(chē)、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
關(guān)鍵字： MOSFET 功率因數(shù) Vishay

MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車(chē)用電子供貨緊張

　　面對(duì)國(guó)際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車(chē)用電子領(lǐng)域，并開(kāi)始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺(tái)系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(zhǎng)力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見(jiàn)。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說(shuō)會(huì)開(kāi)始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺(tái)需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對(duì)于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達(dá)淡季不淡的樂(lè)觀預(yù)期看法
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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

　　以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過(guò)10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來(lái)。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計(jì)到2019年局面才能改觀。　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]