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利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新

  • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新,引言
    嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護，以延長系統(tǒng)的使用周期，
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Flash單片機自編程技術(shù)介紹

  • Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

  • 　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 　　隨著Intel Ivy Bridge處
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基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案

  • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案,摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法，并完成了設(shè)計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴展，因此往往需要對最初的設(shè)計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

  • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

  • 　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
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一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方法

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

  • 并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計

  • 基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計,現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進人們生活工作中的方方面面，從ATM 機到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護，體積限制等等。當前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
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大容量FLASH在單片機臺標系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 1　引　言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  • 　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
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一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計中的應(yīng)用

  • 一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計中的應(yīng)用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發(fā)是非常重要而又閑難的一個環(huán)節(jié)。因為不能確定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應(yīng)用開發(fā)都是以此為基礎(chǔ)。在實際開發(fā)中，為了提高開
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NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘 要 本文實現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點介紹了 ...
  • 關(guān)鍵字： MSP430F149  Flash  Memory  低功耗系統(tǒng)  
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