- 內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。
今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%，達(dá) 123MB。
- 關(guān)鍵字：
Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
- 關(guān)鍵字：
LSI NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長40%以上。
- 關(guān)鍵字：
索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
- 關(guān)鍵字：
三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
- 關(guān)鍵字：
東芝 NAND
- 東芝株式會(huì)社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字：
東芝 NAND
- 據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動(dòng)DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
- 關(guān)鍵字：
三星 Flash
- 支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言 在實(shí)際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過程中.除了CPU以外，另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件?！ ? 系統(tǒng)介紹 采
- 關(guān)鍵字：
嵌入式 系統(tǒng) 計(jì)算機(jī) 單板 Flash 支持
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤，對于1 bit錯(cuò)誤
- 關(guān)鍵字：
Flash FPGA NAND ECC
- 最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上，三星與蘋果之間的知識產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
- 關(guān)鍵字：
三星 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
- 關(guān)鍵字：
東芝 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
- 關(guān)鍵字：
NAND 閃存
- 摘要：從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā)，對SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法，具有
- 關(guān)鍵字：
T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對嵌入式應(yīng)用
- 關(guān)鍵字：
系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì)公布。
- 關(guān)鍵字：
平板電腦 NAND
nand-flash介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473