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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
  • 關(guān)鍵字： 芯片  設計  控制  flash  SD  NAND  用于  

未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。 　　預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。 　　
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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
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NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
  • 關(guān)鍵字： 設計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  

3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應用接口標準統(tǒng)一

  • 　　集邦科技旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  UFS  

三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星半導體  NAND  

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

  • 　　因應MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。 　　
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固態(tài)硬盤備受關(guān)注

  • 　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。 　　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND  

固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

  • 　　固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看，固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點，因此，DRAMeXchange認為，在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?，對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。 　　
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美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅(qū)采用

  • 　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。 　　美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用
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Spansion能否卷土重來

  • 　　高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財務態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務、技術(shù)趨勢等話題接受了專訪。 　
  • 關(guān)鍵字： Spansion  NAND  
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