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英飛凌推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)

  • 　　英飛凌科技股份公司近日在法國(guó)巴黎“智能卡暨身份識(shí)別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù)，英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機(jī)結(jié)合的安全產(chǎn)品供應(yīng)商。
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臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  • 　　臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

  • 　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。 　　
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

  • 　　華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1，出貨量?jī)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 　　接下來(lái)幾個(gè)月，全球的快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供
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串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案

  • 串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案,串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)，在IC卡和便攜式智能檢測(cè)儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡(jiǎn)單，且運(yùn)行
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基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫

  • 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

    在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
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基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)

  • 基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來(lái)的諸多問(wèn)題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

  • 　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開發(fā)也越來(lái)越活躍。 　　
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Flash單片機(jī)自編程技術(shù)

  • Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)

  • C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器，屬于EEPROM器件，與其它的
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率

  • 　　針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì)，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng)，幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。 　　
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預(yù)計(jì)明年NAND閃存銷售量漲價(jià)跌

  • 　　集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。 　　集邦科技稱，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購(gòu)將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時(shí)，閃存市場(chǎng)的供需就會(huì)更加平衡，價(jià)格下降幅度不會(huì)太大。 　　
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Flash越來(lái)越受到支持

  • 　　根據(jù)Ovum的分析，對(duì)於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對(duì)Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來(lái)越大的壓力，因?yàn)樵絹?lái)越多智慧型手機(jī)平臺(tái)支援這項(xiàng)技術(shù)。 　　
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基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)

全球IC市場(chǎng)喜憂參半

  • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報(bào)告，該公司預(yù)測(cè)2010年度全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)32%，2011年度將成長(zhǎng)8%;2010年度設(shè)備市場(chǎng)將成長(zhǎng)103%，2011年度將成長(zhǎng)10.6%。該公司認(rèn)為目前的全球IC市場(chǎng)呈現(xiàn)出一些正面與負(fù)面的跡象;　
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nand-flash介紹

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