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臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

  • 　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。 　　
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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

  • 　　市場研究公司IC Insights日前預(yù)計，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 　　基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預(yù)計，三星的芯片銷售額
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

  • 　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預(yù)計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破

  • 　　據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。 　　首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。 　　英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
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iSuppli:閃存價格可能會跌到1美元/GB

  • 　　iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價位開始雪崩。 　　由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內(nèi)開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。 　　此外，快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設(shè)備是一個極大的利好消息，各種手機、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價。
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

  • 　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 　　新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 　　兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 　　兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

  • 　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。 　　近期大陸因為亞運因素，
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海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

  • 　　韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。 　　該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。 　　海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 　　三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 　　從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存

  • 　　南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? 　　Hynix Cheong-ju M11工廠 　　Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

  • 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
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DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計

  • 摘要：詳細(xì)介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應(yīng)的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的參考。
    關(guān)鍵詞：在線編程
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VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn)

  • VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn),0 引言

    在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。

    一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
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U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

  • 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應(yīng)用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點，增加U-
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半

  • 　　日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  
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