nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕

　　據(jù)報(bào)道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。　　美國證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵

　　32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長勢(shì)頭，這
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危機(jī)中求生存東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工廠。　　即將關(guān)閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設(shè)備以及約400名員工將被轉(zhuǎn)移到東芝三重縣四日市的工廠。　　為降低生產(chǎn)成本，東芝會(huì)將日本本部作為其研發(fā)及測(cè)試中心，并加速將量產(chǎn)工作移往海外。
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲(chǔ)容量，提供更高的成本效益。　　NAND閃存可用于存儲(chǔ)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動(dòng)了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項(xiàng)技術(shù)成就將
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蘋果刺激NAND Flash需求　各界引頸盼望

　　蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場(chǎng)注入強(qiáng)心針!根據(jù)外資和市調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì)，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺(tái)不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時(shí)也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報(bào)價(jià)波動(dòng)相當(dāng)平靜，并未反映蘋果效應(yīng)，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴(yán)查走私，因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減，預(yù)計(jì)年后才會(huì)發(fā)動(dòng)補(bǔ)貨行情。　　蘋果推出的平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級(jí)一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達(dá)到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
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韓國成功改良NOR芯片可大幅提升手機(jī)性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出，1組韓國工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。　　首爾大學(xué)表示，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲(chǔ)存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢(shì)。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲(chǔ)器等裝置上。　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
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英特爾和美光計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展

　　英特爾公司和美光科技計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。　　兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機(jī)，音樂播放器和其他驅(qū)動(dòng)器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲(chǔ)存一位或兩位數(shù)據(jù)。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲(chǔ)性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士

　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對(duì)三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
關(guān)鍵字：金士頓內(nèi)存 NAND

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計(jì)的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個(gè)芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計(jì)劃升級(jí)自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時(shí)，閃存卡的最
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