首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

張汝京下課 中芯大漲

  • 　　為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 　　11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 　　中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán)，且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認(rèn)購2%的中芯股權(quán)。 　　這件事情所以在臺灣
  • 關(guān)鍵字： 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

  • 　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會于明年初公布有關(guān)的細節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND  閃存  

海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

  • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。 　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
  • 關(guān)鍵字： Hynix  存儲器  NAND   

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動程序分析與移植

  • 基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動程序分析與移植,0 引 言
    嵌入式系統(tǒng)需要支持的外部設(shè)備種類繁多，如何構(gòu)造運行良好的嵌入式設(shè)備的驅(qū)動程序，對嵌入式操作系統(tǒng)的實際應(yīng)用有重要意義。eCos是一種源代碼公開的實時嵌人式操作系統(tǒng)，對嵌入式應(yīng)用具有良好的支持，內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： 分析  移植  驅(qū)動程序  FLASH  eCos  操作系統(tǒng)  驅(qū)動  

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價大漲3%　

  • 　　沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價格會開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 　　存儲器模塊廠一致看好2010
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  存儲器  NAND   

東芝等日本半導(dǎo)體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)

  • 　　隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長，東芝(Toshiba)等日本半導(dǎo)體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴(yán)峻局面。 　　報導(dǎo)指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進行生產(chǎn)不停工。 　　報導(dǎo)指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
  • 關(guān)鍵字： Toshiba  NAND  MCU  

JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 0 引 言
    隨著信息技術(shù)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越廣泛地應(yīng)用于手機通信、汽車、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在這些電子產(chǎn)品中，大多以嵌人式微處理器為核心，配套相關(guān)的外圍輔助設(shè)備，對控制對象進行軟硬件的功能
  • 關(guān)鍵字： 編程  設(shè)計  實現(xiàn)  FLASH  外部  模式  MPC5554  JTAG  

基于DM642的FLASH分頁二級引導(dǎo)程序設(shè)計

  • 0 引 言
    TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的數(shù)字多媒體處理器，具有二級存儲器和高速緩沖器，以及超長指令字結(jié)構(gòu)。其運算速度快、體積小、功耗低的優(yōu)點使得它在多媒體處理領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。開發(fā)基于
  • 關(guān)鍵字： FLASH  642  DM  二級    

東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日本國內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 　　自今年夏天以來，全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟危機后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。 　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

東芝、爾必達提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

  • 　　自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據(jù)點，以增加3成出貨量。 　　報導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND   

傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

  • 　　據(jù)國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴大40%。 　　報道稱，東芝當(dāng)前還計劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 　　iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  閃存芯片  

消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。 　　臺灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 　　據(jù)報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協(xié)議，成都市政府出資成立成
  • 關(guān)鍵字： 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  

東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%

  • 　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 　　全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。 　　iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  閃存  

東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組

  • 　　東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 　　這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。 　　東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  嵌入式  閃存模組  

臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵

  • 　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 　　隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  NAND  
共1451條 74/97 |‹ « 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 » ›|

nand-flash介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

Nand-Flash    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473