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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫設(shè)計(jì)
- 要可靠啟動(dòng)DSP系統(tǒng)中用戶代碼,關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡(jiǎn)單、容易理解的直接燒寫方法。通過(guò)恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段,保存運(yùn)行地址必需的DATA,以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗(yàn)板,對(duì)Flash燒寫上電加載后,DSP能夠正確、穩(wěn)定的運(yùn)行。給出了直接燒寫方法,操作簡(jiǎn)便,容易掌握,為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
- 關(guān)鍵字: Flash CCS DSP 燒寫
美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)?
- 根據(jù)國(guó)外媒體爆料,NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。 這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx,而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù),并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。 Numonyx是英特爾的合資公司,英特爾擁有其45%的股份,意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份,并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對(duì)英特爾和意法半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND 閃存芯片 智能手機(jī)
三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國(guó)三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。 報(bào)導(dǎo)指出,三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM,加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn),故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后,三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國(guó)網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 晶圓 NAND
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)
- 全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。 恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術(shù)
- 關(guān)鍵字: Numonyx NOR NAND RAM PCM
2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢(shì)
- 美國(guó)從事半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測(cè)稱,NAND閃存市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格上升局面。IC Insights預(yù)測(cè),由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資,造成供需緊張,因此到2012年之前平均銷售價(jià)格將繼續(xù)保持上升趨勢(shì)。 IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)查以來(lái),NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jī)的只有2001年一次。該公司預(yù)測(cè),今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會(huì)例外。 供貨容量也將大幅增長(zhǎng)。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
生存在矛盾之中
- 在全球金融危機(jī)影響下,由于市場(chǎng)的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣,向來(lái)紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中,發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生,似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少,能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對(duì)于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法,認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口,未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié),也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒(méi)有相應(yīng)的增大,利潤(rùn)越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對(duì)于建新廠已逐漸
- 關(guān)鍵字: SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲(chǔ)器
亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手
- SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告,2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑,其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而,資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底,目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號(hào),其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手,存儲(chǔ)器晶圓廠、后段封測(cè)則跟進(jìn)。 晶圓代工廠臺(tái)積電宣布,增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平,比起原本的預(yù)測(cè)提高了26%左右。隨后,臺(tái)積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì)上,臺(tái)積電又進(jìn)一步
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓代工 NAND
基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)
- 0 引 言
目前,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展,產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個(gè)中心點(diǎn)就是存儲(chǔ)一控制,所以存儲(chǔ)器 - 關(guān)鍵字: VxWorks FLASH NAND 驅(qū)動(dòng)
東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù),東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量,在年底可達(dá)產(chǎn)能30%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn),其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示,支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng),包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然,隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外,群聯(lián)8月營(yíng)收將持續(xù)成長(zhǎng),估計(jì)月增率可達(dá)10%以上,8月毛利率可微幅高于7月,整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟,下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
- 關(guān)鍵字: 東芝 32納米 NAND
2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量,筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為,1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命,NAND型閃存將取而代之,一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算,NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示,按8Gbit產(chǎn)品換算,2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過(guò),SSD市場(chǎng)要到2
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND
20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
- 在今后的2年~3年內(nèi),NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來(lái)說(shuō),到2011年~2012年,通過(guò)采用2Xnm的制造工藝與3位/單元~4位/單元的多值技術(shù),NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。 但是,如果要實(shí)現(xiàn)超過(guò)128Gb的更大容量,恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。許多工程師也認(rèn)為,2011年~2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。但據(jù)SanDisk公司分析,當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時(shí),從
- 關(guān)鍵字: SanDisk 20nm NAND
美光:TMC模式不會(huì)成功
- 隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面,美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書,美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示,TMC模式不會(huì)成功,即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題,但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵,因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人,不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主,而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略,除華亞科之外,亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。 現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援,初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā),采取爾必
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM NAND
三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠 裁員500人
- 三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造,這一過(guò)程中將裁員500人。 三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉,改造工作將于2009年末至2010年初開始。 今年早些時(shí)候,三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S,分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 DRAM NAND
智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒,NAND閃存繁榮依舊
- 手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人 據(jù) iSuppli 公司,由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制,嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來(lái)四年將增長(zhǎng)約 60 倍。 到 2013 年,內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬(wàn)部升至超過(guò) 300 萬(wàn)部。附圖為 iSuppli公司對(duì)內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測(cè)。 iSuppli 對(duì)微型投影機(jī)的定義是:重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無(wú)需電池組的正投影機(jī)。雖然微
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) NAND
NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。 積極地來(lái)看,Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬(wàn)petabyte(PB,1 peta=100萬(wàn)Giga),而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來(lái)的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng),其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。 Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
- 關(guān)鍵字: SanDisk NAND 閃存
nand-flash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand-flash的理解,并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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