nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

現(xiàn)代半導(dǎo)體9月NAND型閃存產(chǎn)量驟減三成

　　韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體公司上周四宣布，公司將從9月起把NAND型閃存產(chǎn)量減少30%.受供給過(guò)剩影響，全球閃存的價(jià)格一路走低，世界半導(dǎo)體制造商紛紛減少閃存的產(chǎn)量，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司此舉可謂追隨潮流。　　現(xiàn)代半導(dǎo)體將暫停清州M9工廠8英寸晶圓的生產(chǎn)，該廠每月能生產(chǎn)8萬(wàn)枚8英寸晶圓。此前，現(xiàn)代半導(dǎo)體清州M8工廠已將8英寸晶圓的月產(chǎn)量由10萬(wàn)枚減少至 7萬(wàn)枚?，F(xiàn)代半導(dǎo)體公司在今年4月時(shí)曾預(yù)告稱，公司將暫停M9工廠的生產(chǎn)，可是M8工廠的減產(chǎn)決定卻是在業(yè)內(nèi)人士的預(yù)料之外。　　在DRAM業(yè)界排名第三位的日本爾必達(dá)公司將
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攻擊性投資加劇全球半導(dǎo)體廠商危機(jī)

　　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價(jià)格下跌讓全球半導(dǎo)體市場(chǎng)陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對(duì)手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國(guó)DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價(jià)格已跌至谷底。　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點(diǎn) 　　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其是在DRAM行業(yè)，今年除三星電子之外，其他企業(yè)都在虧損。NAND閃謺行業(yè)的情況也是一樣。除三星電子之外，生產(chǎn)NAND閃存（主要用于
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND DRAM 奇夢(mèng)達(dá) 三星電子

DSP和Flash接口技術(shù)的實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　在現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中，采用Flash做為DSP程序加載和引導(dǎo)是一種常用的方法，它為用戶對(duì)那些將來(lái)可能需要改變數(shù)據(jù)或代碼的系統(tǒng)維護(hù)提供了有效手段。利用Flash器件，能夠?qū)崿F(xiàn)在線程序編寫(xiě)，減少EPROM程序燒寫(xiě)帶來(lái)的麻煩。　　2 Flash AM29LV800B簡(jiǎn)介　　Flash存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)功能，而且不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)能快速讀取數(shù)據(jù)，它具有在線電擦寫(xiě)、低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，屬于EEPROM
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NEC All Flash MCU應(yīng)用技術(shù)全國(guó)巡回研討會(huì)

NEC電子是世界上首家可以提供All Flash MCU的廠商，隨著flash存儲(chǔ)器技術(shù)的成熟以及功耗、成本的下降，它已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用于MCU。從NEC電子All Flash MCU保持年均3倍以上增速的交貨量來(lái)看，All Flash MCU在業(yè)界被越來(lái)越多的人認(rèn)知并大受歡迎的事實(shí)已不容置疑。為協(xié)助更多的工程師快速了解NEC電子全新的All Flash MCU,全面展示其卓越性能與廣泛應(yīng)用，從2008年10月9日起， NEC電子將與其授權(quán)代理商世強(qiáng)電訊攜手，蔚為壯觀地在全國(guó)11個(gè)城市巡回舉
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NAND閃存市場(chǎng)近兩月呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師Bryan Lewis表示，2008年的NAND閃存市場(chǎng)原本已經(jīng)朝著成長(zhǎng)趨勢(shì)前行，但現(xiàn)在卻出現(xiàn)了10%的下滑。Lewis表示，雖然有多數(shù)半導(dǎo)體類別市場(chǎng)仍成長(zhǎng)強(qiáng)勁，但NAND閃存市場(chǎng)卻在過(guò)去的兩個(gè)月內(nèi)呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象。　　考慮到宏觀經(jīng)濟(jì)因素及庫(kù)存過(guò)剩帶來(lái)的歐美市場(chǎng)需求趨緩，Gartner認(rèn)為，2008年NAND閃存的市場(chǎng)營(yíng)收僅139億美元，與去年相較下滑10.1%。Lewis表示：「閃存市場(chǎng)過(guò)去一度被看好，現(xiàn)在卻被認(rèn)為將會(huì)顯著下滑。閃存需
關(guān)鍵字： NAND 半導(dǎo)體 Gartner 市場(chǎng)需求

商刊：三星看中了SanDisk的什么價(jià)值

　　北京時(shí)間9月8日《商業(yè)周刊》文章指出，領(lǐng)先的閃存卡廠商SanDisk的業(yè)績(jī)一直沒(méi)什么起色，但是它有很多對(duì)三星有用的東西，比如專利權(quán)、鑰匙鏈驅(qū)動(dòng)和MP3播放器等。　　在過(guò)去的一年時(shí)間里，閃存芯片價(jià)格一直在下跌，加上其數(shù)字媒體設(shè)備的銷售狀況也沒(méi)有任何起色，SanDisk也許很快就會(huì)被三星集團(tuán)收購(gòu)。　　三星公開(kāi)表示它正在考慮是否收購(gòu)SanDisk之后，SanDisk股票在9月5日暴漲了31％。 SanDisk發(fā)布了一項(xiàng)聲明，但是沒(méi)有證實(shí)或否認(rèn)三星是否提出了收購(gòu)要約。　　在股價(jià)暴漲之前，SanDi
關(guān)鍵字：三星 SanDisk 閃存卡數(shù)字媒體 NAND

全球半導(dǎo)體廠商逆勢(shì)擴(kuò)張市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)白熱化

　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價(jià)格下跌讓全球半導(dǎo)體市場(chǎng)陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對(duì)手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國(guó)DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價(jià)格已跌至谷底。　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點(diǎn) 　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其
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12寸晶圓首超8寸晶圓主導(dǎo)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實(shí)際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過(guò)95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
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英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品規(guī)劃

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。　　與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢(shì)，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長(zhǎng)的電池壽命和更低的企業(yè)
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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國(guó)建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達(dá)到30萬(wàn)件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬(wàn)件。　　Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠，目前正在運(yùn)作當(dāng)中。　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計(jì)劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價(jià)格方面的競(jìng)爭(zhēng)力，并在接下來(lái)的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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臺(tái)灣工研院建固態(tài)硬盤(pán)認(rèn)證平臺(tái)

　　固態(tài)硬盤(pán)(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國(guó)際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢(shì)走在前列，臺(tái)系陣營(yíng)為了急起直追，由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報(bào)機(jī)構(gòu)工研院、測(cè)試廠百佳泰和臺(tái)廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測(cè)試認(rèn)證平臺(tái)，希望藉此機(jī)會(huì)把SSD硬件測(cè)試平臺(tái)建立起來(lái)，為臺(tái)灣廠商臺(tái)廠搶占固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)先機(jī)。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
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英特爾筆記本專用SSD硬盤(pán)30天內(nèi)上市

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。　　與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢(shì)，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長(zhǎng)的電池壽命和更低的企業(yè)
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NAND閃存市場(chǎng)價(jià)格一路下滑降幅超10%

　　來(lái)自閃存制造業(yè)界的消息稱，預(yù)計(jì)在八月份晚期，當(dāng)前閃存芯片市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費(fèi)類產(chǎn)品上，包括蘋(píng)果的iPhone手機(jī)、iPod音樂(lè)播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費(fèi)類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無(wú)法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對(duì)未來(lái)的NAND閃存市場(chǎng)持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價(jià)格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對(duì)該市場(chǎng)信心。與此
關(guān)鍵字：閃存 NAND 芯片三星

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級(jí)單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長(zhǎng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國(guó)三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場(chǎng)的30%。　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場(chǎng)份額為13%，美國(guó)米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場(chǎng)份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星閃存 NAND DRAM